一、填空題（每小題2分，共20分）
1.半導體中，由濃度差引起非平衡載流子運動，形成______電流，由外電場引起載流子運動，形成______電流。
2.PN結具有電容特性，正偏時以______電容為主，反偏時以______電容為主。
3.晶體三極管的ICBO是指______極開路的情況下，______的電流。
4.已知某三極管VBE=0.7V，VCE=0.3V，則該管工作在______區(qū)，是由______材料制造的。
5.MOS管作為開關應用時，其工作狀態(tài)應在______和______之間轉換。
6.就VGS而言，增強型MOS管是______極性的，而耗盡型MOS管是______極性的。
7.多級直接耦合放大電路的兩個主要問題是______和______.
8.放大器輸入信號為單一頻率正弦波，輸出為非正弦波，這種失真稱為______失真，這時輸出信號中將產(chǎn)生______頻率成份。
9.反饋量來自放大電路的輸出電壓，而又以電流信號的形式迭加到放大電路的輸入端，稱此種類型的負反饋是______.這種反饋可以使放大電路的輸入電阻______.
10.設計一個負反饋放大電路，若要穩(wěn)定輸出電壓，應引入______負反饋，若要穩(wěn)定輸出電流應引入______負反饋。
二、單項選擇題（在每小題的四個備選答案中，選出一個正確答案，并將正確答案的序號填在題干的括號內(nèi)。每小題2分，共20分）
1.當半導體二極管的反向擊穿電壓小于6V，主要發(fā)生何種擊穿現(xiàn)象 （ ）
A.雪崩擊穿 B.齊納擊穿
C.熱擊穿 D.碰撞擊穿
2.一個硅二極管在正向電壓VD=0.6V時，正向電流ID為10mA，若VD增大到0.66V（即增加10%），則電流ID（ ）。
A.約為11mA（也增加10%）
B.約為20mA（增大1倍）
C.約為100mA（增大到原先的10倍）
D.仍為10mA（基本不變）
3.如果將放大電路中的晶體三極管的基極和發(fā)射極短路，則（ ）。
A.管子深飽和 B.發(fā)射結反偏
C.管子截止 D.集電結燒壞
4.測得某放大電路中的三極管三個管腳對地電位分別是2V、2.3V、5V，則可判斷該管的材料和類型是（ ）。
A.硅、NPN B.硅、PNP
C.鍺、NPN D.鍺、PNP
5.場效應管是一種（ ）。
A.電壓控制器件 B.電流控制器件
C.雙極型器件 D.少子工作的器件
6.若場效應管的偏置電壓VGSQ=1V，則該管不可能是一個（ ）。
A.P溝道結型管 B.N溝道結型管
C.P溝道耗盡型MOS管 D.N溝道增強型MOS管
7.需設計一只單級晶體管放大器，要求輸入電阻很大，輸出電阻小，請選擇（ ）。
A.共射放大 B.共基放大
C.共集放大 D.共源放大
8.電容耦合放大電路（ ）。
A.只能放大直流信號
B.只能放大緩變信號
C.只能放大交變信號
D.既能放大直流信號又能放大交流信號
9.要得到一個由電流控制的電壓源，應選（ ）負反饋形式。
A.電壓串聯(lián) B.電壓并聯(lián)
C.電流串聯(lián) D.電流并聯(lián)
10.深度負反饋電路的放大器增益取決于反饋系數(shù)，與基本放大器的放大倍數(shù)無關，
但基本放大器（ ）。
A.可以去掉 B.不能去掉 C.不一定 D.并不重要
三、簡答題（每小題5分，共15分）
1.已知晶體三極管的靜態(tài)工作電流ICQ=1mA，｜VA｜=100V，β=100， =100Ω，試畫出低頻小信號混合π型等效電路，并求出gm，rb′e 、rce的值。
2.電路如圖三（2）所示，設MOS管的 Cox（w/l）=40μA/V2，VGS（th）=-1V，試求V0和ID的值。
3.一電流源電路如圖三（3）所示，設T1，T2管參數(shù)相同，β=100，VBE=-0.6V.若要使IC2=1mA，VC2≤12V，且R1=R2，試確定電阻R1、R2的允許值。
四、分析計算題（每小題9分，共45分）
1.放大電路如圖四（1）所示，已知三極管的β=80，rbe=2.2kΩ，
求（1）放大器的輸入電阻Ri；
（2）從射極輸出時的Au2和R02；
（3）從集電極輸出時的Au1和R01.
2.放大電路如圖四（2）所示，設各管的β=100，VBE=0.7V， =200Ω。試
（1）求T2管的靜態(tài)工作點（ICQ2、VCQ2）；
（2）估算放大器的電壓增益Av；
（3）求放大器輸出電阻R0.
3.放大電路如圖四（3）所示，所有電容對交流視作短路，
（1）判斷級間反饋的類型和極性。
（2）計算在深負反饋條件下，源電壓增益Avfs=v0/vS的表達式。
（3）若要求電路參數(shù)變化時，電壓放大倍數(shù)基本不變，如何改接反饋電阻RF 并予以說明。
4.理想運放組成的電路如圖四（4）所示，試求輸出電壓v0與輸入電壓vi的關系式，并說明A1、A2實現(xiàn)的功能。
5.遲滯比較器電路如圖四（5）所示，二極管為理想器件，
（1）畫出比較特性；
（2）設vi=6sin t（V），畫出輸出波形。（畫二個周期）
1.半導體中，由濃度差引起非平衡載流子運動，形成______電流，由外電場引起載流子運動，形成______電流。
2.PN結具有電容特性，正偏時以______電容為主，反偏時以______電容為主。
3.晶體三極管的ICBO是指______極開路的情況下，______的電流。
4.已知某三極管VBE=0.7V，VCE=0.3V，則該管工作在______區(qū)，是由______材料制造的。
5.MOS管作為開關應用時，其工作狀態(tài)應在______和______之間轉換。
6.就VGS而言，增強型MOS管是______極性的，而耗盡型MOS管是______極性的。
7.多級直接耦合放大電路的兩個主要問題是______和______.
8.放大器輸入信號為單一頻率正弦波，輸出為非正弦波，這種失真稱為______失真，這時輸出信號中將產(chǎn)生______頻率成份。
9.反饋量來自放大電路的輸出電壓，而又以電流信號的形式迭加到放大電路的輸入端，稱此種類型的負反饋是______.這種反饋可以使放大電路的輸入電阻______.
10.設計一個負反饋放大電路，若要穩(wěn)定輸出電壓，應引入______負反饋，若要穩(wěn)定輸出電流應引入______負反饋。
二、單項選擇題（在每小題的四個備選答案中，選出一個正確答案，并將正確答案的序號填在題干的括號內(nèi)。每小題2分，共20分）
1.當半導體二極管的反向擊穿電壓小于6V，主要發(fā)生何種擊穿現(xiàn)象 （ ）
A.雪崩擊穿 B.齊納擊穿
C.熱擊穿 D.碰撞擊穿
2.一個硅二極管在正向電壓VD=0.6V時，正向電流ID為10mA，若VD增大到0.66V（即增加10%），則電流ID（ ）。
A.約為11mA（也增加10%）
B.約為20mA（增大1倍）
C.約為100mA（增大到原先的10倍）
D.仍為10mA（基本不變）
3.如果將放大電路中的晶體三極管的基極和發(fā)射極短路，則（ ）。
A.管子深飽和 B.發(fā)射結反偏
C.管子截止 D.集電結燒壞
4.測得某放大電路中的三極管三個管腳對地電位分別是2V、2.3V、5V，則可判斷該管的材料和類型是（ ）。
A.硅、NPN B.硅、PNP
C.鍺、NPN D.鍺、PNP
5.場效應管是一種（ ）。
A.電壓控制器件 B.電流控制器件
C.雙極型器件 D.少子工作的器件
6.若場效應管的偏置電壓VGSQ=1V，則該管不可能是一個（ ）。
A.P溝道結型管 B.N溝道結型管
C.P溝道耗盡型MOS管 D.N溝道增強型MOS管
7.需設計一只單級晶體管放大器，要求輸入電阻很大，輸出電阻小，請選擇（ ）。
A.共射放大 B.共基放大
C.共集放大 D.共源放大
8.電容耦合放大電路（ ）。
A.只能放大直流信號
B.只能放大緩變信號
C.只能放大交變信號
D.既能放大直流信號又能放大交流信號
9.要得到一個由電流控制的電壓源，應選（ ）負反饋形式。
A.電壓串聯(lián) B.電壓并聯(lián)
C.電流串聯(lián) D.電流并聯(lián)
10.深度負反饋電路的放大器增益取決于反饋系數(shù)，與基本放大器的放大倍數(shù)無關，
但基本放大器（ ）。
A.可以去掉 B.不能去掉 C.不一定 D.并不重要
三、簡答題（每小題5分，共15分）
1.已知晶體三極管的靜態(tài)工作電流ICQ=1mA，｜VA｜=100V，β=100， =100Ω，試畫出低頻小信號混合π型等效電路，并求出gm，rb′e 、rce的值。
2.電路如圖三（2）所示，設MOS管的 Cox（w/l）=40μA/V2，VGS（th）=-1V，試求V0和ID的值。
3.一電流源電路如圖三（3）所示，設T1，T2管參數(shù)相同，β=100，VBE=-0.6V.若要使IC2=1mA，VC2≤12V，且R1=R2，試確定電阻R1、R2的允許值。
四、分析計算題（每小題9分，共45分）
1.放大電路如圖四（1）所示，已知三極管的β=80，rbe=2.2kΩ，
求（1）放大器的輸入電阻Ri；
（2）從射極輸出時的Au2和R02；
（3）從集電極輸出時的Au1和R01.
2.放大電路如圖四（2）所示，設各管的β=100，VBE=0.7V， =200Ω。試
（1）求T2管的靜態(tài)工作點（ICQ2、VCQ2）；
（2）估算放大器的電壓增益Av；
（3）求放大器輸出電阻R0.
3.放大電路如圖四（3）所示，所有電容對交流視作短路，
（1）判斷級間反饋的類型和極性。
（2）計算在深負反饋條件下，源電壓增益Avfs=v0/vS的表達式。
（3）若要求電路參數(shù)變化時，電壓放大倍數(shù)基本不變，如何改接反饋電阻RF 并予以說明。
4.理想運放組成的電路如圖四（4）所示，試求輸出電壓v0與輸入電壓vi的關系式，并說明A1、A2實現(xiàn)的功能。
5.遲滯比較器電路如圖四（5）所示，二極管為理想器件，
（1）畫出比較特性；
（2）設vi=6sin t（V），畫出輸出波形。（畫二個周期）