華南理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院（光）電子材料方向招聘啟事
華南理工大學(xué)是教育部直屬的全國重點(diǎn)大學(xué)，坐落在南方名城廣州。1995年通過“211工程”部門預(yù)審，進(jìn)入國家面向21世紀(jì)重點(diǎn)建設(shè)的大學(xué)行列；1999年底，通過教育部本科教學(xué)工作優(yōu)秀評價(jià)，成為全國第一批“本科教學(xué)優(yōu)秀學(xué)校”；2000年，經(jīng)批準(zhǔn)成立研究生院；2001年，實(shí)行新一輪部省重點(diǎn)共建，學(xué)校進(jìn)入國家高水平大學(xué)建設(shè)（“985工程高校”）行列。其材料學(xué)院教學(xué)與科研實(shí)力突出。學(xué)院擁有2個(gè)一級學(xué)科博士點(diǎn)與2個(gè)二級學(xué)科博士點(diǎn)。中國科學(xué)院院士3人，教育部“長江學(xué)者獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃”特聘教授4人。今年年初又獲科技部批準(zhǔn)，成立了“發(fā)光材料與器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”。
目前，因?qū)W科發(fā)展及團(tuán)隊(duì)建設(shè)需要，近期內(nèi)擬從海內(nèi)外招聘優(yōu)秀學(xué)者到我院，從事化合物光電半導(dǎo)體材料及器件方面的研究及教學(xué)工作。應(yīng)聘者具體要求如下：
1. 博士學(xué)位。擁有材料學(xué)、物理、材料化學(xué)或相關(guān)學(xué)科的博士學(xué)位。
2. 研究方向一（擬招二人）：光電化合物半導(dǎo)體薄膜的外延生長。要求申請者具有長期從事化合物半導(dǎo)體薄膜的外延生長經(jīng)歷。熟悉MOCVD，MBE或PLD外延生長設(shè)備及方法；熟悉光電半導(dǎo)體器件機(jī)理；對有III族氮化物及LED外延片、III-V太陽能電池生長研究經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮。
研究方向二（擬招一人）：化合物半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)/薄膜材料的合成。申請者應(yīng)熟悉化合物半導(dǎo)體如ZnO，TiO2，GaN等納米結(jié)構(gòu)/薄膜的化學(xué)合成方法，曾在調(diào)控合成方法等方面做出過相應(yīng)的探索性研究。
3. 申請者應(yīng)性格開朗，有創(chuàng)新精神，且樂于進(jìn)行團(tuán)隊(duì)合作。
4. 待遇。一旦錄用，享受華南理工大學(xué)相應(yīng)待遇。
請應(yīng)聘者于2011年12月31日之前將個(gè)人應(yīng)聘材料（包括：1、個(gè)人簡歷、研究方向、應(yīng)聘崗位 2、三項(xiàng)代表性科研成果。）發(fā)電子郵件至msliqin@scut.edu.cn， 聯(lián)系電話：87112846 聯(lián)系人：李老師。
材料科學(xué)與工程學(xué)院
2011年9月8日
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華南理工大學(xué)是教育部直屬的全國重點(diǎn)大學(xué)，坐落在南方名城廣州。1995年通過“211工程”部門預(yù)審，進(jìn)入國家面向21世紀(jì)重點(diǎn)建設(shè)的大學(xué)行列；1999年底，通過教育部本科教學(xué)工作優(yōu)秀評價(jià)，成為全國第一批“本科教學(xué)優(yōu)秀學(xué)校”；2000年，經(jīng)批準(zhǔn)成立研究生院；2001年，實(shí)行新一輪部省重點(diǎn)共建，學(xué)校進(jìn)入國家高水平大學(xué)建設(shè)（“985工程高校”）行列。其材料學(xué)院教學(xué)與科研實(shí)力突出。學(xué)院擁有2個(gè)一級學(xué)科博士點(diǎn)與2個(gè)二級學(xué)科博士點(diǎn)。中國科學(xué)院院士3人，教育部“長江學(xué)者獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃”特聘教授4人。今年年初又獲科技部批準(zhǔn)，成立了“發(fā)光材料與器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”。
目前，因?qū)W科發(fā)展及團(tuán)隊(duì)建設(shè)需要，近期內(nèi)擬從海內(nèi)外招聘優(yōu)秀學(xué)者到我院，從事化合物光電半導(dǎo)體材料及器件方面的研究及教學(xué)工作。應(yīng)聘者具體要求如下：
1. 博士學(xué)位。擁有材料學(xué)、物理、材料化學(xué)或相關(guān)學(xué)科的博士學(xué)位。
2. 研究方向一（擬招二人）：光電化合物半導(dǎo)體薄膜的外延生長。要求申請者具有長期從事化合物半導(dǎo)體薄膜的外延生長經(jīng)歷。熟悉MOCVD，MBE或PLD外延生長設(shè)備及方法；熟悉光電半導(dǎo)體器件機(jī)理；對有III族氮化物及LED外延片、III-V太陽能電池生長研究經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮。
研究方向二（擬招一人）：化合物半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)/薄膜材料的合成。申請者應(yīng)熟悉化合物半導(dǎo)體如ZnO，TiO2，GaN等納米結(jié)構(gòu)/薄膜的化學(xué)合成方法，曾在調(diào)控合成方法等方面做出過相應(yīng)的探索性研究。
3. 申請者應(yīng)性格開朗，有創(chuàng)新精神，且樂于進(jìn)行團(tuán)隊(duì)合作。
4. 待遇。一旦錄用，享受華南理工大學(xué)相應(yīng)待遇。
請應(yīng)聘者于2011年12月31日之前將個(gè)人應(yīng)聘材料（包括：1、個(gè)人簡歷、研究方向、應(yīng)聘崗位 2、三項(xiàng)代表性科研成果。）發(fā)電子郵件至msliqin@scut.edu.cn， 聯(lián)系電話：87112846 聯(lián)系人：李老師。
材料科學(xué)與工程學(xué)院
2011年9月8日
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