學(xué)習(xí)可以智、可以解惑、可以辯是非。學(xué)習(xí)是把鑰匙，學(xué)習(xí)是座燈塔，學(xué)習(xí)是面鏡子。在成長(zhǎng)之路上，總會(huì)有許多困惑，許多選擇，我們時(shí)常會(huì)迷惘，不知道下一步該如何的時(shí)候，學(xué)習(xí)能教會(huì)我們?nèi)绾吻靶?。為各位同學(xué)整理了《高二化學(xué)選擇性必修一知識(shí)點(diǎn)整理》，希望對(duì)你的學(xué)習(xí)有所幫助！
1.高二化學(xué)選擇性必修一知識(shí)點(diǎn)整理 篇一
弱電解質(zhì)的電離平衡。
(1)電離平衡常數(shù)
在一定條件下達(dá)到電離平衡時(shí)，弱電解質(zhì)電離形成的各種離子濃度的乘積與溶液中未電離的分子濃度之比為一常數(shù)，叫電離平衡常數(shù)。
弱酸的電離平衡常數(shù)越大，達(dá)到電離平衡時(shí)，電離出的H+越多。多元弱酸分步電離，且每步電離都有各自的電離平衡常數(shù)，以第一步電離為主。
(2)影響電離平衡的因素，以CH3COOHCH3COO-+H+為例。
加水、加冰醋酸，加堿、升溫，使CH3COOH的電離平衡正向移動(dòng)，加入CH3COONa固體，加入濃鹽酸，降溫使CH3COOH電離平衡逆向移動(dòng)。
2.高二化學(xué)選擇性必修一知識(shí)點(diǎn)整理 篇二
化學(xué)平衡常數(shù)
(1)對(duì)達(dá)到平衡的可逆反應(yīng)，生成物濃度的系數(shù)次方的乘積與反應(yīng)物濃度的系數(shù)次方的乘積之比為一常數(shù)，該常數(shù)稱(chēng)為化學(xué)平衡常數(shù)，用符號(hào)K表示。
(2)平衡常數(shù)K的大小反映了化學(xué)反應(yīng)可能進(jìn)行的程度(即反應(yīng)限度)，平衡常數(shù)越大，說(shuō)明反應(yīng)可以進(jìn)行得越完全。
(3)平衡常數(shù)表達(dá)式與化學(xué)方程式的書(shū)寫(xiě)方式有關(guān)。對(duì)于給定的可逆反應(yīng)，正逆反應(yīng)的平衡常數(shù)互為倒數(shù)。
(4)借助平衡常數(shù)，可以判斷反應(yīng)是否到平衡狀態(tài)：當(dāng)反應(yīng)的濃度商Qc與平衡常數(shù)Kc相等時(shí)，說(shuō)明反應(yīng)達(dá)到平衡狀態(tài)。
3.高二化學(xué)選擇性必修一知識(shí)點(diǎn)整理 篇三
反應(yīng)焓變的計(jì)算
(1)蓋斯定律
對(duì)于一個(gè)化學(xué)反應(yīng)，無(wú)論是一步完成，還是分幾步完成，其反應(yīng)焓變一樣，這一規(guī)律稱(chēng)為蓋斯定律。
(2)利用蓋斯定律進(jìn)行反應(yīng)焓變的計(jì)算。
常見(jiàn)題型是給出幾個(gè)熱化學(xué)方程式，合并出題目所求的熱化學(xué)方程式，根據(jù)蓋斯定律可知，該方程式的ΔH為上述各熱化學(xué)方程式的ΔH的代數(shù)和。
(3)根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)摩爾生成焓，ΔfHmθ計(jì)算反應(yīng)焓變?chǔ)。
對(duì)任意反應(yīng)：aA+bB=cC+dD
ΔH=[cΔfHmθ(C)+dΔfHmθ(D)]-[aΔfHmθ(A)+bΔfHmθ(B)]
4.高二化學(xué)選擇性必修一知識(shí)點(diǎn)整理 篇四
1、硫酸根離子的檢驗(yàn):BaCl2+Na2SO4=BaSO4↓+2NaCl
2、碳酸根離子的檢驗(yàn):CaCl2+Na2CO3=CaCO3↓+2NaCl
3、碳酸鈉與鹽酸反應(yīng):Na2CO3+2HCl=2NaCl+H2O+CO2↑
4、木炭還原氧化銅:2CuO+C高溫2Cu+CO2↑
5、鐵片與硫酸銅溶液反應(yīng):Fe+CuSO4=FeSO4+Cu
6、氯化鈣與碳酸鈉溶液反應(yīng)：CaCl2+Na2CO3=CaCO3↓+2NaCl
7、鈉在空氣中燃燒：2Na+O2△Na2O2
鈉與氧氣反應(yīng)：4Na+O2=2Na2O
8、過(guò)氧化鈉與水反應(yīng)：2Na2O2+2H2O=4NaOH+O2↑
9、過(guò)氧化鈉與二氧化碳反應(yīng)：2Na2O2+2CO2=2Na2CO3+O2
10、鈉與水反應(yīng)：2Na+2H2O=2NaOH+H2↑
11、鐵與水蒸氣反應(yīng)：3Fe+4H2O(g)=F3O4+4H2↑
12、鋁與氫氧化鈉溶液反應(yīng)：2Al+2NaOH+2H2O=2NaAlO2+3H2↑
13、氧化鈣與水反應(yīng)：CaO+H2O=Ca(OH)2
14、氧化鐵與鹽酸反應(yīng)：Fe2O3+6HCl=2FeCl3+3H2O
15、氧化鋁與鹽酸反應(yīng)：Al2O3+6HCl=2AlCl3+3H2O
16、氧化鋁與氫氧化鈉溶液反應(yīng)：Al2O3+2NaOH=2NaAlO2+H2O
17、氯化鐵與氫氧化鈉溶液反應(yīng)：FeCl3+3NaOH=Fe(OH)3↓+3NaCl
18、硫酸亞鐵與氫氧化鈉溶液反應(yīng)：FeSO4+2NaOH=Fe(OH)2↓+Na2SO4
19、氫氧化亞鐵被氧化成氫氧化鐵：4Fe(OH)2+2H2O+O2=4Fe(OH)3
20、氫氧化鐵加熱分解：2Fe(OH)3△Fe2O3+3H2O↑
21、實(shí)驗(yàn)室制取氫氧化鋁：Al2(SO4)3+6NH3?H2O=2Al(OH)3↓+3(NH3)2SO4
22、氫氧化鋁與鹽酸反應(yīng)：Al(OH)3+3HCl=AlCl3+3H2O
23、氫氧化鋁與氫氧化鈉溶液反應(yīng)：Al(OH)3+NaOH=NaAlO2+2H2O
24、氫氧化鋁加熱分解：2Al(OH)3△Al2O3+3H2O
25、三氯化鐵溶液與鐵粉反應(yīng)：2FeCl3+Fe=3FeCl2
26、氯化亞鐵中通入氯氣：2FeCl2+Cl2=2FeCl3
27、二氧化硅與氫氟酸反應(yīng)：SiO2+4HF=SiF4+2H2O
硅單質(zhì)與氫氟酸反應(yīng)：Si+4HF=SiF4+2H2↑
28、二氧化硅與氧化鈣高溫反應(yīng)：SiO2+CaO高溫CaSiO3
29、二氧化硅與氫氧化鈉溶液反應(yīng)：SiO2+2NaOH=Na2SiO3+H2O
30、往硅酸鈉溶液中通入二氧化碳：Na2SiO3+CO2+H2O=Na2CO3+H2SiO3↓
31、硅酸鈉與鹽酸反應(yīng)：Na2SiO3+2HCl=2NaCl+H2SiO3↓
32、氯氣與金屬鐵反應(yīng)：2Fe+3Cl2點(diǎn)燃2FeCl3
33、氯氣與金屬銅反應(yīng)：Cu+Cl2點(diǎn)燃CuCl2
34、氯氣與金屬鈉反應(yīng)：2Na+Cl2點(diǎn)燃2NaCl
35、氯氣與水反應(yīng)：Cl2+H2O=HCl+HClO
5.高二化學(xué)選擇性必修一知識(shí)點(diǎn)整理 篇五
1、電子層數(shù)跟最外層電子數(shù)數(shù)相等的原子有H、Be、Al
2、核外電子總數(shù)與其最外層電子數(shù)之比為4：3的元素O
3、最外層電子數(shù)是電子層數(shù)2倍的原子有關(guān)He、C、S
4、最外層電子數(shù)跟次外層電子數(shù)相等的原子有Be、Ar
5、X、Y兩元素可形成X2Y和X2Y2兩種化合物(或形成原子個(gè)數(shù)比2：1與1：1的化合物Na2O、Na2O2、H2O、H2O2
6、最外層電子數(shù)比次外層電子數(shù)多5個(gè)的元素F
7、最外層電子數(shù)比次外層電子數(shù)少3個(gè)的元素P
8、最外層電子數(shù)比次外層電子數(shù)多5個(gè)的元素Al
9、核外電子總數(shù)與其最外層電子數(shù)之比為3：2的元素C
6.高二化學(xué)選擇性必修一知識(shí)點(diǎn)整理 篇六
(1)原子構(gòu)造原理是電子排入軌道的順序，構(gòu)造原理揭示了原子核外電子的能級(jí)分布。
(2)原子構(gòu)造原理是書(shū)寫(xiě)基態(tài)原子電子排布式的依據(jù)，也是繪制基態(tài)原子軌道表示式的主要依據(jù)之一。
(3)不同能層的能級(jí)有交錯(cuò)現(xiàn)象，如E(3d)>E(4s)、E(4d)>E(5s)、E(5d)>E(6s)、E(6d)>E(7s)、E(4f)>E(5p)、E(4f)>E(6s)等。
原子軌道的能量關(guān)系是：ns<(n-2)f<(n-1)d
(4)能級(jí)組序數(shù)對(duì)應(yīng)著元素周期表的周期序數(shù)，能級(jí)組原子軌道所容納電子數(shù)目對(duì)應(yīng)著每個(gè)周期的元素?cái)?shù)目。
根據(jù)構(gòu)造原理，在多電子原子的電子排布中：各能層最多容納的電子數(shù)為2n2;最外層不超過(guò)8個(gè)電子;次外層不超過(guò)18個(gè)電子;倒數(shù)第三層不超過(guò)32個(gè)電子。
(5)基態(tài)和激發(fā)態(tài)
①基態(tài)：最低能量狀態(tài)。處于最低能量狀態(tài)的原子稱(chēng)為基態(tài)原子。
②激發(fā)態(tài)：較高能量狀態(tài)(相對(duì)基態(tài)而言)。基態(tài)原子的電子吸收能量后，電子躍遷至較高能級(jí)時(shí)的狀態(tài)。處于激發(fā)態(tài)的原子稱(chēng)為激發(fā)態(tài)原子。
③原子光譜：不同元素的原子發(fā)生電子躍遷時(shí)會(huì)吸收(基態(tài)→激發(fā)態(tài))和放出(激發(fā)態(tài)→較低激發(fā)態(tài)或基態(tài))不同的能量(主要是光能)，產(chǎn)生不同的光譜——原子光譜(吸收光譜和發(fā)射光譜)。利用光譜分析可以發(fā)現(xiàn)新元素或利用特征譜線鑒定元素。
1.高二化學(xué)選擇性必修一知識(shí)點(diǎn)整理 篇一
弱電解質(zhì)的電離平衡。
(1)電離平衡常數(shù)
在一定條件下達(dá)到電離平衡時(shí)，弱電解質(zhì)電離形成的各種離子濃度的乘積與溶液中未電離的分子濃度之比為一常數(shù)，叫電離平衡常數(shù)。
弱酸的電離平衡常數(shù)越大，達(dá)到電離平衡時(shí)，電離出的H+越多。多元弱酸分步電離，且每步電離都有各自的電離平衡常數(shù)，以第一步電離為主。
(2)影響電離平衡的因素，以CH3COOHCH3COO-+H+為例。
加水、加冰醋酸，加堿、升溫，使CH3COOH的電離平衡正向移動(dòng)，加入CH3COONa固體，加入濃鹽酸，降溫使CH3COOH電離平衡逆向移動(dòng)。
2.高二化學(xué)選擇性必修一知識(shí)點(diǎn)整理 篇二
化學(xué)平衡常數(shù)
(1)對(duì)達(dá)到平衡的可逆反應(yīng)，生成物濃度的系數(shù)次方的乘積與反應(yīng)物濃度的系數(shù)次方的乘積之比為一常數(shù)，該常數(shù)稱(chēng)為化學(xué)平衡常數(shù)，用符號(hào)K表示。
(2)平衡常數(shù)K的大小反映了化學(xué)反應(yīng)可能進(jìn)行的程度(即反應(yīng)限度)，平衡常數(shù)越大，說(shuō)明反應(yīng)可以進(jìn)行得越完全。
(3)平衡常數(shù)表達(dá)式與化學(xué)方程式的書(shū)寫(xiě)方式有關(guān)。對(duì)于給定的可逆反應(yīng)，正逆反應(yīng)的平衡常數(shù)互為倒數(shù)。
(4)借助平衡常數(shù)，可以判斷反應(yīng)是否到平衡狀態(tài)：當(dāng)反應(yīng)的濃度商Qc與平衡常數(shù)Kc相等時(shí)，說(shuō)明反應(yīng)達(dá)到平衡狀態(tài)。
3.高二化學(xué)選擇性必修一知識(shí)點(diǎn)整理 篇三
反應(yīng)焓變的計(jì)算
(1)蓋斯定律
對(duì)于一個(gè)化學(xué)反應(yīng)，無(wú)論是一步完成，還是分幾步完成，其反應(yīng)焓變一樣，這一規(guī)律稱(chēng)為蓋斯定律。
(2)利用蓋斯定律進(jìn)行反應(yīng)焓變的計(jì)算。
常見(jiàn)題型是給出幾個(gè)熱化學(xué)方程式，合并出題目所求的熱化學(xué)方程式，根據(jù)蓋斯定律可知，該方程式的ΔH為上述各熱化學(xué)方程式的ΔH的代數(shù)和。
(3)根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)摩爾生成焓，ΔfHmθ計(jì)算反應(yīng)焓變?chǔ)。
對(duì)任意反應(yīng)：aA+bB=cC+dD
ΔH=[cΔfHmθ(C)+dΔfHmθ(D)]-[aΔfHmθ(A)+bΔfHmθ(B)]
4.高二化學(xué)選擇性必修一知識(shí)點(diǎn)整理 篇四
1、硫酸根離子的檢驗(yàn):BaCl2+Na2SO4=BaSO4↓+2NaCl
2、碳酸根離子的檢驗(yàn):CaCl2+Na2CO3=CaCO3↓+2NaCl
3、碳酸鈉與鹽酸反應(yīng):Na2CO3+2HCl=2NaCl+H2O+CO2↑
4、木炭還原氧化銅:2CuO+C高溫2Cu+CO2↑
5、鐵片與硫酸銅溶液反應(yīng):Fe+CuSO4=FeSO4+Cu
6、氯化鈣與碳酸鈉溶液反應(yīng)：CaCl2+Na2CO3=CaCO3↓+2NaCl
7、鈉在空氣中燃燒：2Na+O2△Na2O2
鈉與氧氣反應(yīng)：4Na+O2=2Na2O
8、過(guò)氧化鈉與水反應(yīng)：2Na2O2+2H2O=4NaOH+O2↑
9、過(guò)氧化鈉與二氧化碳反應(yīng)：2Na2O2+2CO2=2Na2CO3+O2
10、鈉與水反應(yīng)：2Na+2H2O=2NaOH+H2↑
11、鐵與水蒸氣反應(yīng)：3Fe+4H2O(g)=F3O4+4H2↑
12、鋁與氫氧化鈉溶液反應(yīng)：2Al+2NaOH+2H2O=2NaAlO2+3H2↑
13、氧化鈣與水反應(yīng)：CaO+H2O=Ca(OH)2
14、氧化鐵與鹽酸反應(yīng)：Fe2O3+6HCl=2FeCl3+3H2O
15、氧化鋁與鹽酸反應(yīng)：Al2O3+6HCl=2AlCl3+3H2O
16、氧化鋁與氫氧化鈉溶液反應(yīng)：Al2O3+2NaOH=2NaAlO2+H2O
17、氯化鐵與氫氧化鈉溶液反應(yīng)：FeCl3+3NaOH=Fe(OH)3↓+3NaCl
18、硫酸亞鐵與氫氧化鈉溶液反應(yīng)：FeSO4+2NaOH=Fe(OH)2↓+Na2SO4
19、氫氧化亞鐵被氧化成氫氧化鐵：4Fe(OH)2+2H2O+O2=4Fe(OH)3
20、氫氧化鐵加熱分解：2Fe(OH)3△Fe2O3+3H2O↑
21、實(shí)驗(yàn)室制取氫氧化鋁：Al2(SO4)3+6NH3?H2O=2Al(OH)3↓+3(NH3)2SO4
22、氫氧化鋁與鹽酸反應(yīng)：Al(OH)3+3HCl=AlCl3+3H2O
23、氫氧化鋁與氫氧化鈉溶液反應(yīng)：Al(OH)3+NaOH=NaAlO2+2H2O
24、氫氧化鋁加熱分解：2Al(OH)3△Al2O3+3H2O
25、三氯化鐵溶液與鐵粉反應(yīng)：2FeCl3+Fe=3FeCl2
26、氯化亞鐵中通入氯氣：2FeCl2+Cl2=2FeCl3
27、二氧化硅與氫氟酸反應(yīng)：SiO2+4HF=SiF4+2H2O
硅單質(zhì)與氫氟酸反應(yīng)：Si+4HF=SiF4+2H2↑
28、二氧化硅與氧化鈣高溫反應(yīng)：SiO2+CaO高溫CaSiO3
29、二氧化硅與氫氧化鈉溶液反應(yīng)：SiO2+2NaOH=Na2SiO3+H2O
30、往硅酸鈉溶液中通入二氧化碳：Na2SiO3+CO2+H2O=Na2CO3+H2SiO3↓
31、硅酸鈉與鹽酸反應(yīng)：Na2SiO3+2HCl=2NaCl+H2SiO3↓
32、氯氣與金屬鐵反應(yīng)：2Fe+3Cl2點(diǎn)燃2FeCl3
33、氯氣與金屬銅反應(yīng)：Cu+Cl2點(diǎn)燃CuCl2
34、氯氣與金屬鈉反應(yīng)：2Na+Cl2點(diǎn)燃2NaCl
35、氯氣與水反應(yīng)：Cl2+H2O=HCl+HClO
5.高二化學(xué)選擇性必修一知識(shí)點(diǎn)整理 篇五
1、電子層數(shù)跟最外層電子數(shù)數(shù)相等的原子有H、Be、Al
2、核外電子總數(shù)與其最外層電子數(shù)之比為4：3的元素O
3、最外層電子數(shù)是電子層數(shù)2倍的原子有關(guān)He、C、S
4、最外層電子數(shù)跟次外層電子數(shù)相等的原子有Be、Ar
5、X、Y兩元素可形成X2Y和X2Y2兩種化合物(或形成原子個(gè)數(shù)比2：1與1：1的化合物Na2O、Na2O2、H2O、H2O2
6、最外層電子數(shù)比次外層電子數(shù)多5個(gè)的元素F
7、最外層電子數(shù)比次外層電子數(shù)少3個(gè)的元素P
8、最外層電子數(shù)比次外層電子數(shù)多5個(gè)的元素Al
9、核外電子總數(shù)與其最外層電子數(shù)之比為3：2的元素C
6.高二化學(xué)選擇性必修一知識(shí)點(diǎn)整理 篇六
(1)原子構(gòu)造原理是電子排入軌道的順序，構(gòu)造原理揭示了原子核外電子的能級(jí)分布。
(2)原子構(gòu)造原理是書(shū)寫(xiě)基態(tài)原子電子排布式的依據(jù)，也是繪制基態(tài)原子軌道表示式的主要依據(jù)之一。
(3)不同能層的能級(jí)有交錯(cuò)現(xiàn)象，如E(3d)>E(4s)、E(4d)>E(5s)、E(5d)>E(6s)、E(6d)>E(7s)、E(4f)>E(5p)、E(4f)>E(6s)等。
原子軌道的能量關(guān)系是：ns<(n-2)f<(n-1)d
(4)能級(jí)組序數(shù)對(duì)應(yīng)著元素周期表的周期序數(shù)，能級(jí)組原子軌道所容納電子數(shù)目對(duì)應(yīng)著每個(gè)周期的元素?cái)?shù)目。
根據(jù)構(gòu)造原理，在多電子原子的電子排布中：各能層最多容納的電子數(shù)為2n2;最外層不超過(guò)8個(gè)電子;次外層不超過(guò)18個(gè)電子;倒數(shù)第三層不超過(guò)32個(gè)電子。
(5)基態(tài)和激發(fā)態(tài)
①基態(tài)：最低能量狀態(tài)。處于最低能量狀態(tài)的原子稱(chēng)為基態(tài)原子。
②激發(fā)態(tài)：較高能量狀態(tài)(相對(duì)基態(tài)而言)。基態(tài)原子的電子吸收能量后，電子躍遷至較高能級(jí)時(shí)的狀態(tài)。處于激發(fā)態(tài)的原子稱(chēng)為激發(fā)態(tài)原子。
③原子光譜：不同元素的原子發(fā)生電子躍遷時(shí)會(huì)吸收(基態(tài)→激發(fā)態(tài))和放出(激發(fā)態(tài)→較低激發(fā)態(tài)或基態(tài))不同的能量(主要是光能)，產(chǎn)生不同的光譜——原子光譜(吸收光譜和發(fā)射光譜)。利用光譜分析可以發(fā)現(xiàn)新元素或利用特征譜線鑒定元素。