安培力是學(xué)生學(xué)習(xí)無(wú)，高考物理需要學(xué)習(xí)到，在選擇題中經(jīng)常會(huì)考到這方面的知識(shí)點(diǎn)，下面無(wú)語(yǔ)考網(wǎng)將為大家?guī)?lái)關(guān)于安培力的介紹，希望能夠幫助到大家。
安培力的大小
⒈公式F=BILsinθ(θ為B與I夾角)
⒉通電導(dǎo)線與磁場(chǎng)方向垂直時(shí)，安培力;
⒊通電導(dǎo)線平行于磁場(chǎng)方向時(shí)，安培力為零;
⒋B對(duì)放入的通電導(dǎo)線來(lái)說(shuō)是外磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度
⒌式中的L為導(dǎo)線垂直于磁場(chǎng)方向的有效切割長(zhǎng)度。
例如，半徑為r的半圓形導(dǎo)線與磁場(chǎng)B垂直放置，導(dǎo)線的的等效長(zhǎng)度為2r，安培力的大小就是BI*2r。
安培力的方向
⒈方向由左手定則來(lái)判斷。
⒉安培力總是垂直于磁感應(yīng)強(qiáng)度B和電流I所決定的平面，但B、I不一定是垂直關(guān)系。
洛倫茲力f向安培力F推導(dǎo)
如果將上述的導(dǎo)線垂直放入磁場(chǎng)，那么每個(gè)電荷(基元電荷)受到的洛侖茲力為f=evB;
我們依然取上述長(zhǎng)為l的一段導(dǎo)線，其中的電荷總數(shù)量依然是N=nV=nSL;
那么這段導(dǎo)線的所有電子的洛倫茲的合力為F=Nf=nSLevB;
在這里我們補(bǔ)充一下，所有的洛倫茲力f的方向是一致的，因此合力就是Nf。
利用(2)中I的推導(dǎo)公式I=neSv;將其帶入，
則有F=BIL，這就是安培力的公式。
我們有這樣的結(jié)論：
桿件所受到的安培力是其內(nèi)部大量粒子所受到的洛侖茲力的宏觀表現(xiàn)。
洛倫茲力與安培力公式的比較
洛倫茲力f=Bvq;其描述的是某個(gè)粒子的受力情況。
安培力F=BIL;其描述的是通電的桿件的受力情況。
通過(guò)公式的比較，我們應(yīng)確定主思路：
1利用微積分基本原理，建立起單獨(dú)某個(gè)粒子與桿件內(nèi)大量粒子之間的關(guān)系;
2研究IL與vq之間的關(guān)系。
安培力的大小
⒈公式F=BILsinθ(θ為B與I夾角)
⒉通電導(dǎo)線與磁場(chǎng)方向垂直時(shí)，安培力;
⒊通電導(dǎo)線平行于磁場(chǎng)方向時(shí)，安培力為零;
⒋B對(duì)放入的通電導(dǎo)線來(lái)說(shuō)是外磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度
⒌式中的L為導(dǎo)線垂直于磁場(chǎng)方向的有效切割長(zhǎng)度。
例如，半徑為r的半圓形導(dǎo)線與磁場(chǎng)B垂直放置，導(dǎo)線的的等效長(zhǎng)度為2r，安培力的大小就是BI*2r。
安培力的方向
⒈方向由左手定則來(lái)判斷。
⒉安培力總是垂直于磁感應(yīng)強(qiáng)度B和電流I所決定的平面，但B、I不一定是垂直關(guān)系。
洛倫茲力f向安培力F推導(dǎo)
如果將上述的導(dǎo)線垂直放入磁場(chǎng)，那么每個(gè)電荷(基元電荷)受到的洛侖茲力為f=evB;
我們依然取上述長(zhǎng)為l的一段導(dǎo)線，其中的電荷總數(shù)量依然是N=nV=nSL;
那么這段導(dǎo)線的所有電子的洛倫茲的合力為F=Nf=nSLevB;
在這里我們補(bǔ)充一下，所有的洛倫茲力f的方向是一致的，因此合力就是Nf。
利用(2)中I的推導(dǎo)公式I=neSv;將其帶入，
則有F=BIL，這就是安培力的公式。
我們有這樣的結(jié)論：
桿件所受到的安培力是其內(nèi)部大量粒子所受到的洛侖茲力的宏觀表現(xiàn)。
洛倫茲力與安培力公式的比較
洛倫茲力f=Bvq;其描述的是某個(gè)粒子的受力情況。
安培力F=BIL;其描述的是通電的桿件的受力情況。
通過(guò)公式的比較，我們應(yīng)確定主思路：
1利用微積分基本原理，建立起單獨(dú)某個(gè)粒子與桿件內(nèi)大量粒子之間的關(guān)系;
2研究IL與vq之間的關(guān)系。