中國(guó)科學(xué)院微電子研究所成立于1958年，通過長(zhǎng)期不懈的努力，已成為國(guó)內(nèi)微電子領(lǐng)域重要的研發(fā)機(jī)構(gòu)之一。為了加強(qiáng)學(xué)科的發(fā)展，現(xiàn)誠(chéng)聘相關(guān)專業(yè)“百人計(jì)劃”研究人員。
一、招聘崗位及崗位職責(zé)
1、率先行動(dòng)百人計(jì)劃學(xué)術(shù)帥才（A類）
準(zhǔn)確把握學(xué)科動(dòng)態(tài)和發(fā)展方向，所從事的工作應(yīng)符合院“三個(gè)面向”的要求；作為研究單元的負(fù)責(zé)人，應(yīng)注重戰(zhàn)略謀劃和前瞻布局，組織帶領(lǐng)科研團(tuán)隊(duì)，促進(jìn)具有重要影響的重大突破和重大創(chuàng)新成果的產(chǎn)出；組織開展國(guó)際學(xué)術(shù)交流，擴(kuò)大本領(lǐng)域在國(guó)際學(xué)術(shù)界的影響；積極培養(yǎng)青年人才。
2、率先行動(dòng)百人計(jì)劃技術(shù)英才（B類）
帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)主持國(guó)家、院重大工程項(xiàng)目，從事高水平技術(shù)攻關(guān)，解決工程技術(shù)難題，或?qū)Υ笮蛢x器、設(shè)備做出重要的技術(shù)改造和升級(jí)，開展自主研發(fā)，為科研工作提供良好的技術(shù)支撐和保障；指導(dǎo)和培養(yǎng)青年工程技術(shù)人才。
3、率先行動(dòng)百人計(jì)劃青年俊才（C類）
引入國(guó)際先進(jìn)的學(xué)術(shù)思想和技術(shù)方法，提出具有重要?jiǎng)?chuàng)新價(jià)值的工作思路，積極開拓新的研究領(lǐng)域，爭(zhēng)取和承擔(dān)國(guó)家科技任務(wù)，取得國(guó)內(nèi)外同行認(rèn)可的科研成果，建設(shè)具有較強(qiáng)創(chuàng)新能力的科技團(tuán)隊(duì)。
二、研發(fā)中心介紹
1、中國(guó)科學(xué)院EDA中心
該研發(fā)中心主要研究方向?yàn)椋合冗M(jìn)集成電路設(shè)計(jì)及EDA技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)架構(gòu)與核心芯片研發(fā)、網(wǎng)絡(luò)化產(chǎn)業(yè)公共服務(wù)平臺(tái)。是中國(guó)科學(xué)院面向全院集成電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域科研與教育的網(wǎng)絡(luò)化公共平臺(tái)，面向全國(guó)開展技術(shù)服務(wù)。
2、集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心
該研發(fā)中心圍繞集成電路先導(dǎo)工藝技術(shù)研究，致力于CMOS前沿工藝及其它硅基集成電路相關(guān)技術(shù)研究，是我國(guó)集成電路前沿研究領(lǐng)域的中堅(jiān)力量，已做出了多項(xiàng)代表國(guó)家集成電路工藝研究水平的成果，擁有凈化面積約3000平米的8英寸和4英寸先導(dǎo)工藝研發(fā)平臺(tái)，其中8英寸研發(fā)線采用工業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的工藝設(shè)備，并在多個(gè)關(guān)鍵模塊上擁有特色工藝能力。
3、系統(tǒng)封裝與集成研發(fā)中心
該研發(fā)中心主要從事先進(jìn)電子封裝與集成技術(shù)的研究與開發(fā)。針對(duì)后摩爾時(shí)代集成電路向三維集成技術(shù)發(fā)展，以及電子系統(tǒng)對(duì)小型化、多功能、高性能、高可靠、低成本、低能耗的需求，封裝中心開展了系統(tǒng)封裝設(shè)計(jì)研究、中道晶圓級(jí)封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝基板技術(shù)、先進(jìn)微組裝技術(shù)、可靠性與失效分析等關(guān)鍵封裝技術(shù)研發(fā)，同時(shí)進(jìn)行光互連集成技術(shù)研究與產(chǎn)品開發(fā)。主要研究方向包括：系統(tǒng)封裝設(shè)計(jì)研究、中道晶圓級(jí)封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝基板技術(shù)、先進(jìn)微組裝技術(shù)、可靠性與失效分析研究、光互連集成技術(shù)。
4、中科新芯三維存儲(chǔ)器研發(fā)中心
該研發(fā)中心主要從事存儲(chǔ)器架構(gòu)與集成技術(shù)研究、存儲(chǔ)器器件與可靠性技術(shù)研究、存儲(chǔ)器模型模擬技術(shù)研究、存儲(chǔ)器測(cè)試表征技術(shù)研究、存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)技術(shù)研究。存儲(chǔ)器中心凝聚了一支專業(yè)的先進(jìn)三維存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)隊(duì)伍，團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)或參與完成了多項(xiàng)前沿性研發(fā)任務(wù)，在三維存儲(chǔ)器的工藝、器件、模型模擬、集成、存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)和芯片測(cè)試等方面積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)。中心已建立具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的完整的三維存儲(chǔ)器芯片研發(fā)平臺(tái)，初步形成了工藝集成、結(jié)構(gòu)與器件優(yōu)化、電路設(shè)計(jì)和測(cè)試技術(shù)的垂直型研發(fā)體系。
5、通信與信息工程研發(fā)中心
該中心瞄準(zhǔn)國(guó)家重大戰(zhàn)略需求，研發(fā)具有“中國(guó)芯”與“中國(guó)魂”的信息化裝備，以信息系統(tǒng)集成智能化、小型化、低成本為目標(biāo)，開展信息技術(shù)新體制系統(tǒng)的研發(fā)和多信道寬頻段可重構(gòu)信息綜合一體化平臺(tái)建設(shè)，解決信息化生態(tài)資源條件下多體制通信的互聯(lián)互通、信息融合、裝備升級(jí)等瓶頸問題；面向國(guó)民經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場(chǎng)，針對(duì)重點(diǎn)領(lǐng)域行業(yè)專網(wǎng)應(yīng)用，解決基礎(chǔ)設(shè)施薄弱地區(qū)和應(yīng)急場(chǎng)景的動(dòng)態(tài)、全域、智能管控等問題，提供信息傳輸與處理一體化系統(tǒng)；針對(duì)工業(yè)信息化建設(shè)，將圖像處理和智能制造有機(jī)結(jié)合，提供工業(yè)視覺解決方案。
6、新能源汽車電子研發(fā)中心
該研發(fā)中心主要圍繞新能源汽車電子核心技術(shù)，開展車載衛(wèi)星導(dǎo)航芯片、電池管理芯片、高可靠圖像傳感器芯片、大規(guī)模SOC芯片設(shè)計(jì)，智能輔助駕駛、新能源汽車電控技術(shù)、車聯(lián)網(wǎng)整體解決方案等研究?，F(xiàn)有成熟產(chǎn)品包括新能源汽車鋰電池管理芯片、車載智能總控終端、智能輔助駕駛系統(tǒng)、車聯(lián)網(wǎng)行業(yè)應(yīng)用解決方案，產(chǎn)業(yè)合作伙伴遍及汽車廠商、汽車電子廠商、系統(tǒng)集成商等。
7、健康電子研發(fā)中心
該研發(fā)中心圍繞行業(yè)應(yīng)用和市場(chǎng)需求，開展健康電子系統(tǒng)、特色軟硬件產(chǎn)品及核心芯片研發(fā)，學(xué)科方向包括健康電子儀器、芯片、移動(dòng)醫(yī)療系統(tǒng)及核心技術(shù)、老齡智能科技等。致力于打造個(gè)性化健康管理系統(tǒng)，開展廣義健康領(lǐng)域高新技術(shù)研發(fā)和集成創(chuàng)新，整合行業(yè)資源，并開展先行先試應(yīng)用示范，專注健康電子“核心技術(shù)、數(shù)據(jù)平臺(tái)、健康終端和特色芯片”一條龍研發(fā)。中心在生物芯片、醫(yī)療信息集成化技術(shù)、面向健康的高性能傳感器技術(shù)方面，已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展。
8、智能感知研發(fā)中心
該研發(fā)中心主要從事半導(dǎo)體集成電路傳感器、包括MEMS傳感器、硅集成電路芯片以及智能感知系統(tǒng)等方面的研究工作。中心下設(shè)CMOS傳感器項(xiàng)目組、MEMS傳感器與紅外傳感器項(xiàng)目組、射頻模擬集成電路芯片項(xiàng)目組、低功耗處理器項(xiàng)目組、軟件算法項(xiàng)目組、傳感網(wǎng)項(xiàng)目組、穿戴式系統(tǒng)項(xiàng)目組、高速接口項(xiàng)目組及衛(wèi)星導(dǎo)航項(xiàng)目組等九個(gè)主要課題組。中心面向智能工業(yè)、智能醫(yī)療和智能電網(wǎng)等核心應(yīng)用領(lǐng)域，開展MEMS紅外傳感器設(shè)計(jì)、低功耗處理器芯片、電力線與物聯(lián)網(wǎng)通信芯片、高性能數(shù)?；旌?span lang="EN-US">IP核、智能傳感器接口與預(yù)處理電路、高精度微波空間感知技術(shù)以及生物光電傳感器系統(tǒng)的應(yīng)用開發(fā)。
9、智能制造電子研發(fā)中心
該研發(fā)中心緊密圍繞“中國(guó)制造2025”行動(dòng)綱領(lǐng)，聚焦新一代信息技術(shù)在制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)過程中的創(chuàng)新應(yīng)用。中心以構(gòu)建信息化條件下的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系和新型制造模式，打造智能制造系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鏈為總體目標(biāo)，主要從事以大數(shù)據(jù)和自動(dòng)控制為核心的智能工業(yè)關(guān)鍵技術(shù)、基于新一代信息技術(shù)的高端智能化制造裝備、基于自主芯片的傳感、通信及控制部件等方向的研發(fā)工作。中心下設(shè)物聯(lián)網(wǎng)通信SoC設(shè)計(jì)、工業(yè)RFID芯片設(shè)計(jì)、計(jì)算機(jī)視覺、大數(shù)據(jù)四個(gè)研究課題組，同時(shí)在無(wú)錫、南京兩地設(shè)有產(chǎn)業(yè)化基地。
10、硅器件與集成研發(fā)中心
該研發(fā)中心面向半導(dǎo)體硅基器件及集成電路研究，以現(xiàn)代極大規(guī)模集成電路技術(shù)為基礎(chǔ)，開展特種硅基工藝、器件和集成電路等方面技術(shù)研發(fā)的部門。研發(fā)中心下設(shè)工藝開發(fā)、器件建模、電路設(shè)計(jì)、測(cè)試封裝和可靠性分析五個(gè)研究課題組，擁有一個(gè)特種器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、一個(gè)半導(dǎo)體器件與電路設(shè)計(jì)仿真實(shí)驗(yàn)室和一個(gè)半導(dǎo)體器件與電路測(cè)試分析實(shí)驗(yàn)室。研發(fā)中心長(zhǎng)期從事硅基集成電路和功率器件工藝、設(shè)計(jì)和測(cè)試等方面的技術(shù)研發(fā)，取得了多項(xiàng)代表國(guó)家硅基半導(dǎo)體工藝研究水平的成果，是國(guó)內(nèi)早開展體硅CMOS電路、SOI電路、VDMOS器件、IGBT器件和霍爾器件等研發(fā)的科研單位。目前，中心致力于極端環(huán)境下應(yīng)用的集成電路及器件技術(shù)研發(fā)，為陸地、海洋和空間特殊環(huán)境應(yīng)用的電子系統(tǒng)提供技術(shù)支撐與服務(wù)。
11、高頻高壓器件與集成研發(fā)中心
該研發(fā)中心的主要研究方向包括：高頻GaN功率器件和電路、高端毫米波InP基器件和電路、GaAsHBT/Ge基超高速數(shù)?；旌想娐贰?span lang="EN-US">SiC電力電子器件等方面的研究探索，獲得了國(guó)家重大專項(xiàng)、973、863、自然基金等一大批國(guó)家項(xiàng)目支持，建立了國(guó)內(nèi)第一條4英寸化合物實(shí)驗(yàn)線，并引領(lǐng)著該研究領(lǐng)域的發(fā)展方向。
12、微電子儀器設(shè)備研發(fā)中心
該研發(fā)中心的主要研究方向包括：新型集成電路制造與測(cè)試裝備、新型太陽(yáng)能電池制造技術(shù)和裝備、高效率LED制造技術(shù)和裝備、光學(xué)檢測(cè)裝備、MEMS加工技術(shù)、裝備及關(guān)鍵的射頻功率源系統(tǒng)技術(shù)。
13、微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
中國(guó)科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（簡(jiǎn)稱重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室）是根據(jù)國(guó)家重大需求、微電子領(lǐng)域前沿研究的發(fā)展趨勢(shì)、科學(xué)院信息領(lǐng)域的發(fā)展戰(zhàn)略布局和微電子所的中長(zhǎng)期發(fā)展戰(zhàn)略需求建設(shè)而成。重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室聚焦我國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的重大戰(zhàn)略需求，面向國(guó)際微電子前沿領(lǐng)域，圍繞新型微電子器件及集成中的科學(xué)問題，以解決信息存儲(chǔ)、處理、傳輸及其能耗等一系列關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題為突破口，重點(diǎn)開展新一代微電子器件及其納米加工和集成技術(shù)的基礎(chǔ)研究，加強(qiáng)國(guó)際國(guó)內(nèi)的開放合作，加強(qiáng)創(chuàng)新能力、前沿技術(shù)與知識(shí)產(chǎn)權(quán)儲(chǔ)備，在國(guó)際前沿創(chuàng)新群體中占有一席之地，在我國(guó)微電子領(lǐng)域的中長(zhǎng)期發(fā)展中發(fā)揮先導(dǎo)性創(chuàng)新核心平臺(tái)作用。重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室具有從事納米加工的豐富經(jīng)驗(yàn)、技術(shù)基礎(chǔ)和工藝平臺(tái)設(shè)備支撐能力，在納米材料制備、納米結(jié)構(gòu)加工、納米尺度器件電路制備及性能表征與檢測(cè)等研究及工藝開發(fā)方向上具備扎實(shí)基礎(chǔ)。
三、應(yīng)聘條件
1、A類應(yīng)具有在海外知名大學(xué)、國(guó)際知名科研機(jī)構(gòu)或企業(yè)擔(dān)任教授及相當(dāng)職位的任職經(jīng)歷；在本學(xué)科領(lǐng)域有較深的學(xué)術(shù)造詣，具有廣泛的國(guó)際學(xué)術(shù)影響力，受到國(guó)際同行的普遍認(rèn)可；年富力強(qiáng)，具有領(lǐng)軍才能和團(tuán)隊(duì)組織能力。符合中國(guó)科學(xué)院率先行動(dòng)“百人計(jì)劃”管理實(shí)施細(xì)則規(guī)定的招聘條件。詳細(xì)情況可登錄（http://www.pe.cas.cn/）網(wǎng)站介紹。
2、B類應(yīng)為掌握關(guān)鍵技術(shù)，在海外從事工程技術(shù)類研發(fā)，或從事重大科學(xué)裝置建設(shè)、儀器設(shè)備研發(fā)等相關(guān)工作3年（含）以上的中青年杰出人才；能夠解決關(guān)鍵技術(shù)問題、推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，并取得過一流成果。符合中國(guó)科學(xué)院率先行動(dòng)“百人計(jì)劃”管理實(shí)施細(xì)則規(guī)定的招聘條件。詳細(xì)情況可登錄（http://www.pe.cas.cn/）網(wǎng)站介紹。
3、C類應(yīng)為具有博士學(xué)位，在海外知名大學(xué)、科研機(jī)構(gòu)等學(xué)習(xí)或工作3年（含）以上的優(yōu)秀青年人才，特別優(yōu)秀的，海外學(xué)習(xí)或工作年限可適當(dāng)放寬；在本研究領(lǐng)域已嶄露頭角，做出過具有突出創(chuàng)新思想的研究成果；具有優(yōu)良的科技創(chuàng)新潛質(zhì)和較好的團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力；申報(bào)時(shí)取得博士學(xué)位時(shí)間未超過5年。符合中國(guó)科學(xué)院率先行動(dòng)“百人計(jì)劃”管理實(shí)施細(xì)則規(guī)定的招聘條件。詳細(xì)情況可登錄（http://www.pe.cas.cn/）網(wǎng)站介紹。
四、應(yīng)聘材料
1）填寫《中國(guó)科學(xué)院微電子研究所崗位申請(qǐng)表》（見附件）、《中國(guó)科學(xué)院率先行動(dòng)“百人計(jì)劃”申請(qǐng)表/備案表》(可從http://www.pe.cas.cn/下載)。
2）發(fā)表的論著目錄、論著引用情況及3～5篇代表性論文。
3）相關(guān)證明材料（已取得的重要科研成果（含專利）證明、國(guó)內(nèi)外任職情況證明、高學(xué)位證書、身體健康狀況證明等）。
4）3位教授級(jí)國(guó)內(nèi)外同行專家的推薦信。
5）對(duì)應(yīng)聘學(xué)科科研工作的設(shè)想、計(jì)劃和要求。
五、聘期福利待遇
1）聘任相應(yīng)專業(yè)技術(shù)崗位。
2）到崗后提供50-70萬(wàn)元科研啟動(dòng)經(jīng)費(fèi)；通過院“百人計(jì)劃”擇優(yōu)支持評(píng)審可獲得中科院科研經(jīng)費(fèi)的專項(xiàng)經(jīng)費(fèi)資助。
六、聯(lián)系方式
聯(lián)系人：王雷、白璐
電話：010-82995540/010-82995699
傳真：010-62021601
地址：北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)微電子研究所人事處
郵政編碼：100029
E-mail：wanglei@ime.ac.cnbailu@ime.ac.cn
網(wǎng)址：http://www.ime.cas.cn/
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所崗位申請(qǐng)表.doc