3.ROM的工作原理及其應用
使用時只讀出不寫入的存儲器稱為只讀存儲器（ROM）。ROM中的信息一旦寫入就不能進行修改，其信息斷電之后也仍然保留。一般用于存放微程序、固定子程序、字母符號陣列等信息。ROM和RAM相比，使用時不需寫入、再生和刷新等操作，所以其電路比較簡單，但同樣有地址譯碼器、數(shù)據(jù)讀出電路等。制作ROM的半導體材料有二極管、MOS電路和雙極型晶體管等。因制造工藝和功能不同，一般分為普通ROM、可編程ROM（PROM）、可擦寫可編程ROM（EPROM）和電可擦寫可編程ROM（EEPROM）等。
（1）ROM的工作原理
一般的ROM使用掩模式ROM。這類ROM由生產(chǎn)廠家做成，用戶不能加以修改。
掩模ROM的特點是其存儲內(nèi)容出廠時由生產(chǎn)廠家一次制成，用戶不能對其內(nèi)容進行修改，而依賴于生產(chǎn)廠家，這種RAM適用于定型批量制作。在實際使用過程中，部分用戶希望自己根據(jù)需要填寫ROM的內(nèi)容，因此產(chǎn)生可編程ROM（PROM）。PROM與掩模ROM的主要區(qū)別是PROM在出廠時其內(nèi)容均為“0”或“1”，用戶在使用前按照自己的需要利用工具將編碼寫入PROM中，一次寫入不可修改。PROM的使用相當于由用戶RAM生產(chǎn)中的最后一道工序———向RAM中寫入編碼，其余同掩模RAM的使用完全相同。
（2）EPROM和EEPROM的工作原理
為了適應程序調試的要求，針對一般PROM的不可修改特性，設計出可以多次擦寫的可編程ROM（EPROM）。其特點是可以根據(jù)用戶的要求用工具擦去RAM中原有的存儲內(nèi)容，重新寫入新的編碼。擦除和寫入可以根據(jù)用戶的要求用工具擦去RAM中原有的存儲內(nèi)容，重新寫入新的編碼。擦除和寫入可以多次進行，其信息的內(nèi)容同樣不會因斷電而丟失。最常見的EˉPROM是UVEPROM，其存儲元件常用浮置柵型MOS管組成。出廠時全部置“0”或“1”，由用戶**高壓脈沖寫入信息。擦寫時**其外部的一個石英玻璃窗，利用紫外線的照射，使浮柵上的電荷獲得高能而泄漏，恢復原有的全“0”或“1”狀態(tài)，允許用戶重新寫入信息。平時窗口上必須貼有不透明膠紙，以防光線進入而造成信息流失。
另有一種EPROM是**電氣方法擦除其中的已有內(nèi)容，也稱為電可擦寫編程ROM（EEPROM）。