全國(guó)2014年4月高等教育自學(xué)考試
電子技術(shù)基礎(chǔ)(三)試題
課程代碼：04730
請(qǐng)考生按規(guī)定用筆將所有試題的答案涂、寫在答題紙上。
選擇題部分
注意事項(xiàng)：
1.答題前，考生務(wù)必將自己的姓名、準(zhǔn)考證號(hào)用黑色字跡的簽字筆或鋼筆填寫在答題紙
規(guī)定的位置上。
2.每小題選出答案后，用2B鉛筆把答題紙上對(duì)應(yīng)題目的答案標(biāo)號(hào)涂黑。如需改動(dòng)，用橡皮擦干凈后，再選涂其他答案標(biāo)號(hào)。不能答在試題卷上。
一、單項(xiàng)選擇題(本大題共15小題，每小題1分，共15分)
在每小題列出的四個(gè)備選項(xiàng)中只有一個(gè)是符合題目要求的，請(qǐng)將其選出并將“答題紙”的相應(yīng)代碼涂黑。未涂、錯(cuò)涂或多涂均無分。
1、以下關(guān)于無源元件的描述中，錯(cuò)誤的是
A、電阻是無源元件 B、電感是無源元件
C、電容是無源元件 D、集成運(yùn)放是無源元件
2、以下關(guān)于電流源的描述中，錯(cuò)誤的是
A、電流源兩端的電壓大小由負(fù)載決定
B、理想電流源的內(nèi)阻趨于無窮大
C、兩個(gè)輸出電流值不同的直流電流源可以串聯(lián)在一起
D、理想電流源作用為零時(shí)，可等效為開路狀態(tài)
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4、若測(cè)得某晶體管放大電路中，晶體管的三個(gè)電極電位分別為8V、4V、3.4V，則可判斷
該晶體管屬于
A、npn硅管 B、npn鍺管
C、pnp硅管 D、pnp鍺管
5、在多級(jí)放大電路中，以下關(guān)于輸入電阻和輸出電阻的描述中，正確的是
A、輸入電阻只取決于后一級(jí)，輸出電阻只取決于第一級(jí)放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)
B、輸入電阻只取決于第一級(jí)，輸出電阻只取決于后一級(jí)放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)
C、輸入電阻和輸出電阻都只取決于第一級(jí)放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)
D、輸入電阻和輸出電阻都只取決于后一級(jí)放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)
6、理想運(yùn)算放大器虛短與虛斷的具體含義是
A、虛短：i-=i+，虛斷：u-=u+
B、虛短：u-=u+=0，虛斷：i-=i+
C、虛短：i-=i+，虛斷：u-=u+=0
D、虛短：u-=u+，虛斷：i-=i+=0
7、反相比例運(yùn)算電路的負(fù)反饋類型是
A、電壓串聯(lián)負(fù)反饋 B、電壓并聯(lián)負(fù)反饋
C、電流串聯(lián)負(fù)反饋 D、電流并聯(lián)負(fù)反饋
8、三端集成穩(wěn)壓器CW78M12輸出的直流電流是
A、0.5A B、1A
C、1.5A D、2A
9、穩(wěn)壓二極管正常工作時(shí)的狀態(tài)是
A、正向?qū)顟B(tài) B、反向截止?fàn)顟B(tài)
C、反向擊穿狀態(tài) D、正向擊穿狀態(tài)
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11、以下關(guān)于CMOS系列集成門電路說法中，正確的是
A、主要由場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，它的特點(diǎn)是集成度低、功耗低、速度快
B、主要由場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，它的特點(diǎn)是集成度高、功耗低、速度慢
C、主要由雙極型晶體三極管構(gòu)成，它的特點(diǎn)是集成度低、功耗低、速度快
D、主要由雙極型晶體三極管構(gòu)成，它的特點(diǎn)是集成度高、功耗低、速度慢
12、在決定一個(gè)事件的所有條件中，只要有一個(gè)或一個(gè)以上的條件具備時(shí)，這個(gè)事件就發(fā)生，則該邏輯是
A、邏輯與 B、邏輯乘
C、邏輯或 D、邏輯非
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15、簡(jiǎn)單可編程邏輯器件PROM的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是
A、與陣列和或陣列都固定 B、與陣列可編程，或陣列固定
C、與陣列固定，或陣列可編程 D、與陣列和或陣列都可編程
非選擇題部分
注意事項(xiàng)：
用黑色字跡的簽字筆或鋼筆將答案寫在答題紙上，不能答在試題卷上。
二、填空題(本大題共15小題，每小題1分，共15分)
16、加在電容兩端的電壓變化越快，流過電容的電流就越________。
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18、并聯(lián)RLC電路諧振時(shí)，其輸入阻抗呈現(xiàn)________特性。
19、雙極型晶體管的基極電流可以控制晶體管的________電流。
20、放大器帶負(fù)載能力越強(qiáng)，表明該放大器的輸出電阻越________。
21、某場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的放大電路，測(cè)得其柵源電壓發(fā)生10mV變化時(shí)，漏極電流改變了0.2mA，則跨導(dǎo)參數(shù)gm=________mS。
22、為了降低集成運(yùn)算放大器的零點(diǎn)漂移，提高共模抑制比，其輸入級(jí)通常采用________電路。
23、若在單限電壓比較器電路中引入正反饋，則這時(shí)的電壓比較器稱為________。
24、由硅穩(wěn)壓二極管組成的穩(wěn)壓電路，正常工作時(shí)，在負(fù)載電流不變、輸入電壓增大的情況
下，流過硅穩(wěn)壓二極管的電流Iz將________。
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26、一個(gè)十六進(jìn)制數(shù)1B轉(zhuǎn)換成十進(jìn)制數(shù)后的值為________。
27、邏輯函數(shù)F=A
C+ABC+ACD化簡(jiǎn)后的結(jié)果是F=________。
28、某邏輯電路符號(hào)如題28圖所示，輸出S________。
29、對(duì)于T觸發(fā)器，其特征方程為________
30、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列的英文簡(jiǎn)稱是________。
三、分析題(本大題共8小題，每小題5分，共40分)
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41、某電氣控制系統(tǒng)中有三臺(tái)電機(jī)，其中A為主電機(jī)，B與C為兩臺(tái)輔助控制電機(jī)，在系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)，主電機(jī)必須啟動(dòng)，且輔助控制電機(jī)中至少要有一臺(tái)啟動(dòng)。試用門電路設(shè)計(jì)此控制電路，用F表示運(yùn)行結(jié)果。(設(shè)電機(jī)啟動(dòng)為1，否則為0;系統(tǒng)能正常運(yùn)行為1，否則為0)
要求：(1)列出真值表;
(2)寫出邏輯表達(dá)式并化簡(jiǎn);
(3)畫出邏輯電路圖。
電子技術(shù)基礎(chǔ)(三)試題
課程代碼：04730
請(qǐng)考生按規(guī)定用筆將所有試題的答案涂、寫在答題紙上。
選擇題部分
注意事項(xiàng)：
1.答題前，考生務(wù)必將自己的姓名、準(zhǔn)考證號(hào)用黑色字跡的簽字筆或鋼筆填寫在答題紙
規(guī)定的位置上。
2.每小題選出答案后，用2B鉛筆把答題紙上對(duì)應(yīng)題目的答案標(biāo)號(hào)涂黑。如需改動(dòng)，用橡皮擦干凈后，再選涂其他答案標(biāo)號(hào)。不能答在試題卷上。
一、單項(xiàng)選擇題(本大題共15小題，每小題1分，共15分)
在每小題列出的四個(gè)備選項(xiàng)中只有一個(gè)是符合題目要求的，請(qǐng)將其選出并將“答題紙”的相應(yīng)代碼涂黑。未涂、錯(cuò)涂或多涂均無分。
1、以下關(guān)于無源元件的描述中，錯(cuò)誤的是
A、電阻是無源元件 B、電感是無源元件
C、電容是無源元件 D、集成運(yùn)放是無源元件
2、以下關(guān)于電流源的描述中，錯(cuò)誤的是
A、電流源兩端的電壓大小由負(fù)載決定
B、理想電流源的內(nèi)阻趨于無窮大
C、兩個(gè)輸出電流值不同的直流電流源可以串聯(lián)在一起
D、理想電流源作用為零時(shí)，可等效為開路狀態(tài)
4、若測(cè)得某晶體管放大電路中，晶體管的三個(gè)電極電位分別為8V、4V、3.4V，則可判斷
該晶體管屬于
A、npn硅管 B、npn鍺管
C、pnp硅管 D、pnp鍺管
5、在多級(jí)放大電路中，以下關(guān)于輸入電阻和輸出電阻的描述中，正確的是
A、輸入電阻只取決于后一級(jí)，輸出電阻只取決于第一級(jí)放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)
B、輸入電阻只取決于第一級(jí)，輸出電阻只取決于后一級(jí)放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)
C、輸入電阻和輸出電阻都只取決于第一級(jí)放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)
D、輸入電阻和輸出電阻都只取決于后一級(jí)放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)
6、理想運(yùn)算放大器虛短與虛斷的具體含義是
A、虛短：i-=i+，虛斷：u-=u+
B、虛短：u-=u+=0，虛斷：i-=i+
C、虛短：i-=i+，虛斷：u-=u+=0
D、虛短：u-=u+，虛斷：i-=i+=0
7、反相比例運(yùn)算電路的負(fù)反饋類型是
A、電壓串聯(lián)負(fù)反饋 B、電壓并聯(lián)負(fù)反饋
C、電流串聯(lián)負(fù)反饋 D、電流并聯(lián)負(fù)反饋
8、三端集成穩(wěn)壓器CW78M12輸出的直流電流是
A、0.5A B、1A
C、1.5A D、2A
9、穩(wěn)壓二極管正常工作時(shí)的狀態(tài)是
A、正向?qū)顟B(tài) B、反向截止?fàn)顟B(tài)
C、反向擊穿狀態(tài) D、正向擊穿狀態(tài)
11、以下關(guān)于CMOS系列集成門電路說法中，正確的是
A、主要由場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，它的特點(diǎn)是集成度低、功耗低、速度快
B、主要由場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，它的特點(diǎn)是集成度高、功耗低、速度慢
C、主要由雙極型晶體三極管構(gòu)成，它的特點(diǎn)是集成度低、功耗低、速度快
D、主要由雙極型晶體三極管構(gòu)成，它的特點(diǎn)是集成度高、功耗低、速度慢
12、在決定一個(gè)事件的所有條件中，只要有一個(gè)或一個(gè)以上的條件具備時(shí)，這個(gè)事件就發(fā)生，則該邏輯是
A、邏輯與 B、邏輯乘
C、邏輯或 D、邏輯非
15、簡(jiǎn)單可編程邏輯器件PROM的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是
A、與陣列和或陣列都固定 B、與陣列可編程，或陣列固定
C、與陣列固定，或陣列可編程 D、與陣列和或陣列都可編程
非選擇題部分
注意事項(xiàng)：
用黑色字跡的簽字筆或鋼筆將答案寫在答題紙上，不能答在試題卷上。
二、填空題(本大題共15小題，每小題1分，共15分)
16、加在電容兩端的電壓變化越快，流過電容的電流就越________。
18、并聯(lián)RLC電路諧振時(shí)，其輸入阻抗呈現(xiàn)________特性。
19、雙極型晶體管的基極電流可以控制晶體管的________電流。
20、放大器帶負(fù)載能力越強(qiáng)，表明該放大器的輸出電阻越________。
21、某場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的放大電路，測(cè)得其柵源電壓發(fā)生10mV變化時(shí)，漏極電流改變了0.2mA，則跨導(dǎo)參數(shù)gm=________mS。
22、為了降低集成運(yùn)算放大器的零點(diǎn)漂移，提高共模抑制比，其輸入級(jí)通常采用________電路。
23、若在單限電壓比較器電路中引入正反饋，則這時(shí)的電壓比較器稱為________。
24、由硅穩(wěn)壓二極管組成的穩(wěn)壓電路，正常工作時(shí)，在負(fù)載電流不變、輸入電壓增大的情況
下，流過硅穩(wěn)壓二極管的電流Iz將________。
26、一個(gè)十六進(jìn)制數(shù)1B轉(zhuǎn)換成十進(jìn)制數(shù)后的值為________。
27、邏輯函數(shù)F=A
C+ABC+ACD化簡(jiǎn)后的結(jié)果是F=________。
28、某邏輯電路符號(hào)如題28圖所示，輸出S________。
29、對(duì)于T觸發(fā)器，其特征方程為________
30、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列的英文簡(jiǎn)稱是________。
三、分析題(本大題共8小題，每小題5分，共40分)
41、某電氣控制系統(tǒng)中有三臺(tái)電機(jī)，其中A為主電機(jī)，B與C為兩臺(tái)輔助控制電機(jī)，在系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)，主電機(jī)必須啟動(dòng)，且輔助控制電機(jī)中至少要有一臺(tái)啟動(dòng)。試用門電路設(shè)計(jì)此控制電路，用F表示運(yùn)行結(jié)果。(設(shè)電機(jī)啟動(dòng)為1，否則為0;系統(tǒng)能正常運(yùn)行為1，否則為0)
要求：(1)列出真值表;
(2)寫出邏輯表達(dá)式并化簡(jiǎn);
(3)畫出邏輯電路圖。