3、完整屏蔽體屏蔽效能的計算
(1)屏蔽效能的計算
屏蔽效能有時也稱為屏蔽損耗(衰減)，特別在單獨考慮吸收或反射屏蔽效能時常用吸收損耗A和反射損耗R來表示。屏蔽效能SE或屏蔽損耗愈大，表示屏蔽效果愈好。
(2)吸收損耗
屏蔽體中電磁能損耗系由感生的渦流產(chǎn)生。由于高頻渦流有趨膚效應，電磁場在金屬屏蔽體中將以衰減常數(shù) 按指數(shù)規(guī)律衰減。衰減常數(shù) 即為渦流系數(shù)：
電磁波在介質(zhì)中傳播，衰減為原始強度的 或37%時所傳播的距離稱為該材料的趨膚深度。趨膚深度的計算公式為： 的單位為MHz。
若屏蔽體的厚度為 ，則吸收傳輸系數(shù)為： 若以dB為單位，則吸收損耗A為： (dB)
可以看出，吸收損耗A與 成正比關系，即屏蔽體的厚度越大，吸收損耗A越大。高頻情況，一般 >10，則A可以達到80dB以上。厚度每增加一個趨膚深度，吸收損耗增加約9dB，另外吸收損耗隨屏蔽材料的磁導率和電導率，或被屏蔽電磁波的頻率增加而增加。同時，趨膚深度 與頻率、材料的磁導率 及電導率 的平方根均成反比，即同樣頻率的電磁場， 及 愈大的材料，趨膚深度 愈小;而對于同樣的材料，頻率越高，趨膚深度越小。
當 時，銅的趨膚深度為0.067mm，則厚度為 的屏蔽體的吸收屏蔽損耗A達87dB。因此，對于高頻，要達到一定屏蔽效果所需的屏蔽體厚度很小，一般只要能滿足工藝結(jié)構(gòu)和機械性能的厚度都能滿足屏蔽的要求。
表5-4-21列出了幾種常用金屬屏蔽材料的相對電導率和相對磁導率。根據(jù)吸收損耗的要求，就可以求得屏蔽體材料需要的最小厚度。
(3)反射損耗
電磁波從空氣傳播到金屬屏蔽體表面時產(chǎn)生反射，反射損耗是金屬屏蔽體對高頻電磁波的另一個重要屏蔽機理。產(chǎn)生反射的原因是電磁波在空氣中和在金屬導體中的阻抗不一樣。
在近場的電場波和磁場波的波阻抗是不同的，因此做近場屏蔽時，要分別考慮電場波和磁場波。由于電場波的波阻抗較高，因此反射損耗較大。磁場波的波阻抗較低，反射損耗較小。對于電場波，屏蔽體距離輻射源越近，反射損耗越大。對于磁場波，屏蔽體距離輻射源越遠，反射損耗越大。
反射損耗的特點是與電磁波的波阻抗有關。對于特定的屏蔽材料，波阻抗越高，反射損耗越大。對于銅屏蔽材料(其他材料的趨勢也大致相同)，根據(jù)電場源和磁場源的波阻抗變化規(guī)律，可以繪出圖5-4-11所示反射損耗與頻率之間的關系曲線。
屏蔽材料的反射損耗并不是將電磁通量消耗掉，而是將其反射到空間，傳播到其他地方。因此反射損耗很大并不一定是好事情，反射的電磁波可能對其他對象造成影響。
(4)多次反射損耗
電磁波每當入射到不同介質(zhì)的界面時，都會發(fā)生反射。因此當入射波到達金屬屏蔽體時，除了一部分能量被屏蔽體吸收并一次反射后穿透出屏蔽體外，在屏蔽體內(nèi)的兩個表面上還會產(chǎn)生多次反射。電磁波每一次反射都會有一部分能量穿透出屏蔽體，這就造成了額外的泄漏。
(1)屏蔽效能的計算
屏蔽效能有時也稱為屏蔽損耗(衰減)，特別在單獨考慮吸收或反射屏蔽效能時常用吸收損耗A和反射損耗R來表示。屏蔽效能SE或屏蔽損耗愈大，表示屏蔽效果愈好。
(2)吸收損耗
屏蔽體中電磁能損耗系由感生的渦流產(chǎn)生。由于高頻渦流有趨膚效應，電磁場在金屬屏蔽體中將以衰減常數(shù) 按指數(shù)規(guī)律衰減。衰減常數(shù) 即為渦流系數(shù)：
電磁波在介質(zhì)中傳播，衰減為原始強度的 或37%時所傳播的距離稱為該材料的趨膚深度。趨膚深度的計算公式為： 的單位為MHz。
若屏蔽體的厚度為 ，則吸收傳輸系數(shù)為： 若以dB為單位，則吸收損耗A為： (dB)
可以看出，吸收損耗A與 成正比關系，即屏蔽體的厚度越大，吸收損耗A越大。高頻情況，一般 >10，則A可以達到80dB以上。厚度每增加一個趨膚深度，吸收損耗增加約9dB，另外吸收損耗隨屏蔽材料的磁導率和電導率，或被屏蔽電磁波的頻率增加而增加。同時，趨膚深度 與頻率、材料的磁導率 及電導率 的平方根均成反比，即同樣頻率的電磁場， 及 愈大的材料，趨膚深度 愈小;而對于同樣的材料，頻率越高，趨膚深度越小。
當 時，銅的趨膚深度為0.067mm，則厚度為 的屏蔽體的吸收屏蔽損耗A達87dB。因此，對于高頻，要達到一定屏蔽效果所需的屏蔽體厚度很小，一般只要能滿足工藝結(jié)構(gòu)和機械性能的厚度都能滿足屏蔽的要求。
表5-4-21列出了幾種常用金屬屏蔽材料的相對電導率和相對磁導率。根據(jù)吸收損耗的要求，就可以求得屏蔽體材料需要的最小厚度。
(3)反射損耗
電磁波從空氣傳播到金屬屏蔽體表面時產(chǎn)生反射，反射損耗是金屬屏蔽體對高頻電磁波的另一個重要屏蔽機理。產(chǎn)生反射的原因是電磁波在空氣中和在金屬導體中的阻抗不一樣。
在近場的電場波和磁場波的波阻抗是不同的，因此做近場屏蔽時，要分別考慮電場波和磁場波。由于電場波的波阻抗較高，因此反射損耗較大。磁場波的波阻抗較低，反射損耗較小。對于電場波，屏蔽體距離輻射源越近，反射損耗越大。對于磁場波，屏蔽體距離輻射源越遠，反射損耗越大。
反射損耗的特點是與電磁波的波阻抗有關。對于特定的屏蔽材料，波阻抗越高，反射損耗越大。對于銅屏蔽材料(其他材料的趨勢也大致相同)，根據(jù)電場源和磁場源的波阻抗變化規(guī)律，可以繪出圖5-4-11所示反射損耗與頻率之間的關系曲線。
屏蔽材料的反射損耗并不是將電磁通量消耗掉，而是將其反射到空間，傳播到其他地方。因此反射損耗很大并不一定是好事情，反射的電磁波可能對其他對象造成影響。
(4)多次反射損耗
電磁波每當入射到不同介質(zhì)的界面時，都會發(fā)生反射。因此當入射波到達金屬屏蔽體時，除了一部分能量被屏蔽體吸收并一次反射后穿透出屏蔽體外，在屏蔽體內(nèi)的兩個表面上還會產(chǎn)生多次反射。電磁波每一次反射都會有一部分能量穿透出屏蔽體，這就造成了額外的泄漏。