晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
3.1.3.1晶體的基本類型和性質(zhì)
（1）離子晶體
1)晶格結(jié)點(diǎn)上的微粒：正、負(fù)離子。
2)微粒間作用力：離子鍵即正、負(fù)離子之間的靜電引力。其作用力隨離子電荷的增多和半徑的減少而增強(qiáng)。
3)晶體中不存在獨(dú)立的簡(jiǎn)單分子。例如NaCl晶體,表示Na+:Cl－=1:1。
4)晶體的特性：熔點(diǎn)高、硬度大；延展性差；一般易溶于極性溶劑；熔融態(tài)或水溶液均易導(dǎo)電。
在相同類型的典型離子晶體中，離子的電荷越多，半徑越小，晶體的熔點(diǎn)越高，硬度越大。
離子電荷與半徑的規(guī)律如下：
（A）在同一周期中，自左而右隨著正離子電荷數(shù)的增多，離子半徑逐漸減少。如半徑：
Na＋﹥Mg2＋;K＋﹥Ca2＋﹥Sc3＋
（B）同一元素，隨著正離子電荷數(shù)的增多，離子半經(jīng)減少。如半徑: Fe2+﹥Fe3+
(C)在同一族中，自上而下離子半經(jīng)逐漸增大。如半徑: I－﹥Br－﹥Cl－﹥F－
根據(jù)離子電荷與半徑的規(guī)律，可判斷離子鍵的強(qiáng)弱，從而可判斷離子晶體熔點(diǎn)和硬度的大小
例1：
離子晶體
正、負(fù)離子半徑和
正、負(fù)離子電荷數(shù)
熔點(diǎn)
硬度
NaF
2.30Å
＋1 ,－1
993℃
2.3
CaO
2.31Å
＋2 ,－2
2614℃
4.5
例2：
離子晶體
正離子半徑
正、負(fù)離子電荷數(shù)
熔點(diǎn)
硬度
CaO
0.99 Å
＋2, ＋2
2614℃
4.5
MgO
0.66 Å
＋2, ＋2
2852℃
5.5～6.5
（2）原子晶體.
1)晶格結(jié)點(diǎn)上的微粒：原子。
2)微粒間作用力：共價(jià)鍵。
3)晶體中不存在獨(dú)立的簡(jiǎn)單分子。例如方石英（SiO2）晶體,表示Si:O=1:2。
4)晶體的特性：熔點(diǎn)高、硬度大；延展性差；一般溶劑中不溶；是電的絕緣體或半導(dǎo)體。常見(jiàn)的原子晶體有金剛石（C）和可作半導(dǎo)體材料的單晶硅（Si）、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、以及碳化硅(SiC)和方石英(SiO2)。
（3）分子晶體
1)晶格結(jié)點(diǎn)上的微?！簶O性分子或非極性分子。
2)微粒間作用力：分子間力（還有氫鍵）。在同類型的分子中，分子間力隨分子量的增大而增大。
3)晶體中存在獨(dú)立的簡(jiǎn)單分子。例如CO2晶體, 結(jié)點(diǎn)上為CO2分子。
4)晶體的特性：熔點(diǎn)抵、硬度小(隨分子量的增大而增大)；延展性差；其溶解性遵循“相似者相溶”，極性分子易溶于水、冰醋酸等，非極性分子易溶于有機(jī)溶劑如碘、萘等，熔融態(tài)不導(dǎo)電。
（4）金屬晶體
1)晶格結(jié)點(diǎn)上的微粒：原子或正離子。
2)微粒間作用力：金屬鍵。
3)晶體中不存在獨(dú)立的簡(jiǎn)單分子。
4)晶體的特性：是電和熱的良導(dǎo)體，熔點(diǎn)較高、硬度較大；優(yōu)良的變形性和金屬光澤。
3.1.3.1晶體的基本類型和性質(zhì)
（1）離子晶體
1)晶格結(jié)點(diǎn)上的微粒：正、負(fù)離子。
2)微粒間作用力：離子鍵即正、負(fù)離子之間的靜電引力。其作用力隨離子電荷的增多和半徑的減少而增強(qiáng)。
3)晶體中不存在獨(dú)立的簡(jiǎn)單分子。例如NaCl晶體,表示Na+:Cl－=1:1。
4)晶體的特性：熔點(diǎn)高、硬度大；延展性差；一般易溶于極性溶劑；熔融態(tài)或水溶液均易導(dǎo)電。
在相同類型的典型離子晶體中，離子的電荷越多，半徑越小，晶體的熔點(diǎn)越高，硬度越大。
離子電荷與半徑的規(guī)律如下：
（A）在同一周期中，自左而右隨著正離子電荷數(shù)的增多，離子半徑逐漸減少。如半徑：
Na＋﹥Mg2＋;K＋﹥Ca2＋﹥Sc3＋
（B）同一元素，隨著正離子電荷數(shù)的增多，離子半經(jīng)減少。如半徑: Fe2+﹥Fe3+
(C)在同一族中，自上而下離子半經(jīng)逐漸增大。如半徑: I－﹥Br－﹥Cl－﹥F－
根據(jù)離子電荷與半徑的規(guī)律，可判斷離子鍵的強(qiáng)弱，從而可判斷離子晶體熔點(diǎn)和硬度的大小
例1：
離子晶體
正、負(fù)離子半徑和
正、負(fù)離子電荷數(shù)
熔點(diǎn)
硬度
NaF
2.30Å
＋1 ,－1
993℃
2.3
CaO
2.31Å
＋2 ,－2
2614℃
4.5
例2：
離子晶體
正離子半徑
正、負(fù)離子電荷數(shù)
熔點(diǎn)
硬度
CaO
0.99 Å
＋2, ＋2
2614℃
4.5
MgO
0.66 Å
＋2, ＋2
2852℃
5.5～6.5
（2）原子晶體.
1)晶格結(jié)點(diǎn)上的微粒：原子。
2)微粒間作用力：共價(jià)鍵。
3)晶體中不存在獨(dú)立的簡(jiǎn)單分子。例如方石英（SiO2）晶體,表示Si:O=1:2。
4)晶體的特性：熔點(diǎn)高、硬度大；延展性差；一般溶劑中不溶；是電的絕緣體或半導(dǎo)體。常見(jiàn)的原子晶體有金剛石（C）和可作半導(dǎo)體材料的單晶硅（Si）、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、以及碳化硅(SiC)和方石英(SiO2)。
（3）分子晶體
1)晶格結(jié)點(diǎn)上的微?！簶O性分子或非極性分子。
2)微粒間作用力：分子間力（還有氫鍵）。在同類型的分子中，分子間力隨分子量的增大而增大。
3)晶體中存在獨(dú)立的簡(jiǎn)單分子。例如CO2晶體, 結(jié)點(diǎn)上為CO2分子。
4)晶體的特性：熔點(diǎn)抵、硬度小(隨分子量的增大而增大)；延展性差；其溶解性遵循“相似者相溶”，極性分子易溶于水、冰醋酸等，非極性分子易溶于有機(jī)溶劑如碘、萘等，熔融態(tài)不導(dǎo)電。
（4）金屬晶體
1)晶格結(jié)點(diǎn)上的微粒：原子或正離子。
2)微粒間作用力：金屬鍵。
3)晶體中不存在獨(dú)立的簡(jiǎn)單分子。
4)晶體的特性：是電和熱的良導(dǎo)體，熔點(diǎn)較高、硬度較大；優(yōu)良的變形性和金屬光澤。