1，控制冷卻結(jié)晶過程在一定的溫度范圍內(nèi)可以完全去除雜質(zhì)，但因?qū)嶋H操作過程中攪拌，結(jié)晶器，過飽和度控制等因素，往往導(dǎo)致晶體聚結(jié)嚴(yán)重，包裹了少量雜質(zhì)。對(duì)此可以通過改善結(jié)晶操作條件，如改善結(jié)晶體系的均勻性，精確的將過飽和度控制在亞穩(wěn)區(qū)以內(nèi)等條件的控制實(shí)現(xiàn)更好的分離。
2，一般來說，由于結(jié)晶的專一性，生長(zhǎng)中的晶體對(duì)外來雜質(zhì)具有排斥作用，但有時(shí)晶體表面也可以健合一定的雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)，特別是它與組成質(zhì)點(diǎn)晶體構(gòu)造中較為相似的，比較容易均勻進(jìn)入晶體，相似性越大進(jìn)入晶體越容易。
3，雜質(zhì)進(jìn)入晶體的方式主要有兩種：1，進(jìn)入晶格。2，選擇性吸附在一定的晶面上，改變晶面對(duì)介質(zhì)的表面能。數(shù)雜質(zhì)都吸附在晶面。雜質(zhì)的結(jié)構(gòu)與目的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)相近對(duì)臺(tái)階，扭折位置的吸附有效；如兩者不同，吸附僅局限于棱邊上。所以結(jié)構(gòu)類似物更容易成為結(jié)晶過程中不易去除的雜質(zhì)。在晶體生長(zhǎng)過程中微量雜質(zhì)可以均勻進(jìn)入晶格。
4，結(jié)晶過程涉及到溶質(zhì)分子的去溶劑化和晶體的形成。晶體的形成需要兩種能量，用于形成表面，另一種用于構(gòu)筑晶格。所以考察結(jié)晶溶劑對(duì)于結(jié)晶過程的影響是結(jié)晶過程研究的一重要方面。
5，在利用多次結(jié)晶才可以得到產(chǎn)品時(shí)，可以在不同次數(shù)的結(jié)晶時(shí)使用不同的結(jié)晶溶劑，使得在一次結(jié)晶時(shí)重點(diǎn)去除某些雜質(zhì)，在重結(jié)晶時(shí)去除另外一些雜質(zhì)，以便以較少的結(jié)晶次數(shù)得到純度較高的晶體，提高結(jié)晶效率，節(jié)約生產(chǎn)成本。
2，一般來說，由于結(jié)晶的專一性，生長(zhǎng)中的晶體對(duì)外來雜質(zhì)具有排斥作用，但有時(shí)晶體表面也可以健合一定的雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)，特別是它與組成質(zhì)點(diǎn)晶體構(gòu)造中較為相似的，比較容易均勻進(jìn)入晶體，相似性越大進(jìn)入晶體越容易。
3，雜質(zhì)進(jìn)入晶體的方式主要有兩種：1，進(jìn)入晶格。2，選擇性吸附在一定的晶面上，改變晶面對(duì)介質(zhì)的表面能。數(shù)雜質(zhì)都吸附在晶面。雜質(zhì)的結(jié)構(gòu)與目的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)相近對(duì)臺(tái)階，扭折位置的吸附有效；如兩者不同，吸附僅局限于棱邊上。所以結(jié)構(gòu)類似物更容易成為結(jié)晶過程中不易去除的雜質(zhì)。在晶體生長(zhǎng)過程中微量雜質(zhì)可以均勻進(jìn)入晶格。
4，結(jié)晶過程涉及到溶質(zhì)分子的去溶劑化和晶體的形成。晶體的形成需要兩種能量，用于形成表面，另一種用于構(gòu)筑晶格。所以考察結(jié)晶溶劑對(duì)于結(jié)晶過程的影響是結(jié)晶過程研究的一重要方面。
5，在利用多次結(jié)晶才可以得到產(chǎn)品時(shí)，可以在不同次數(shù)的結(jié)晶時(shí)使用不同的結(jié)晶溶劑，使得在一次結(jié)晶時(shí)重點(diǎn)去除某些雜質(zhì)，在重結(jié)晶時(shí)去除另外一些雜質(zhì)，以便以較少的結(jié)晶次數(shù)得到純度較高的晶體，提高結(jié)晶效率，節(jié)約生產(chǎn)成本。