一、填空題（每小題2分，共20分）
1.可以用__________擦除EPROM中所存的信息。
2.單穩(wěn)態(tài)可應(yīng)用于__________、延時、定時。
3.極大地影響二極管動態(tài)特性的原因主要是結(jié)電容和__________的存在。
4.在時鐘脈沖操作下具有__________功能的電路稱為D觸發(fā)器。
5.8421碼、2421碼等屬于__________代碼。
6.4位十六進制數(shù)轉(zhuǎn)化為二進制數(shù)有__________位。
7.或非門構(gòu)成的基本R-S觸發(fā)器兩個輸入同時作用時輸出Q =__________.
8.CMOS傳輸門實際上是一種可以傳送信號的__________.
9.時序電路可分為Mealy型和__________型。
10.基本邏輯運算有__________種。
二、單項選擇題（在每小題的四個備選答案中，選出一個正確答案，并將正確答案的序號填在題干的括號內(nèi)。每小題2分，共20分）
11. 不帶緩沖輸出的HCMOS電路系列是（ ）。
A. 54/74HCA B. 54/74HCT C. 54/74HCU D. 54/74HCS
12. AB +A 在四變量卡諾圖中有（ ）個小格是“1”。
A. 13 B. 12 C. 6 D. 5
13. 在CP（ ）時主從R-S觸發(fā)器的主觸發(fā)器接收輸入信號。
A. 0→1 B. ＝1 C. 1→0 D. ＝0
14. A 1 0 1 1 0 1=（ ）。
A. A B. C. 0 D. 1
15. （ ）觸發(fā)器可以用來構(gòu)成移位寄存器。 A. 基本R-S B. 同步R-S C. 同步D D. 邊沿D
16. 輸入至少（ ）位數(shù)字量的D/A轉(zhuǎn)換器分辨率可達千分之一。
A. 9 B. 10 C. 11 D. 12
17. 三極管作為開關(guān)時工作區(qū)域是（ ）。
A. 飽和區(qū)+放大區(qū) B. 擊穿區(qū)+截止區(qū)
C. 放大區(qū)+擊穿區(qū) D. 飽和區(qū)+截止區(qū)
18. 16位輸入的二進制編碼器，其輸出端有（ ）位。
A. 256 B. 128 C. 4 D. 3
19. RAM動態(tài)MOS存儲單元需要（ ）操作以免存儲的信息丟失。
A. 再生 B. 充電 C. 復(fù)位 D. 置數(shù)
20. 二輸入與非門當輸入變化為（ ）時，輸出可能有競爭冒險。
A. 01→10 B. 00→10 C. 10→11 D. 11→01 三、分析題（每小題6分，共42分）
21. 把（11001100）3轉(zhuǎn)化為8進制數(shù)和5421BCD碼。
22. 分析圖示電路，指出電路名稱，列出電壓關(guān)系表，畫出邏輯符號。
23. 根據(jù)給定的邏輯圖寫出輸出邏輯表達式Y(jié)（A，B，C）（不用化簡），列出真值表。
24. 觸發(fā)器電路如圖所示，對應(yīng)輸入波形畫出Q、 波形（設(shè)Q初態(tài)為0）。
25. 寫出圖示電路的驅(qū)動方程，并畫出狀態(tài)圖（按Q1Q2Q3排列，列出所有狀態(tài)）。
26. 用一個555定時器及電阻電容構(gòu)成一個多諧振蕩器，畫出電路圖。若給定電阻的阻值只有1kΩ，要求振蕩頻率為1kHz，則電容值和占空比各是多少？
27. A/D轉(zhuǎn)換器中取量化單位為Δ，把0～10V的模擬電壓信號轉(zhuǎn)換為3位二進制代碼，若量化誤差為Δ，要求列表表示模擬電平與二進制代碼的關(guān)系，并指出Δ的值。
模擬電平 二 進 制 代 碼
0 0 0
四、設(shè)計題（每小題6分，共18分）
28. 設(shè)計能實現(xiàn)全減器功能的組合電路。
要求：列出真值表，寫出標準表達式，畫出ROM存儲矩陣連線圖。
29. 用兩片4選1（一片74LS153）及適當?shù)拈T電路實現(xiàn)函數(shù)：
F（A，B，C，D）=C +A +B
要求：寫出標準與或表達式，畫出邏輯連線圖，其中4選1的兩個選擇控制端A1、A0接變量A、B，變量D從數(shù)據(jù)端輸入，變量C用于擴展。
30. 用74161及適當?shù)拈T電路構(gòu)成十二進制計數(shù)器，要求利用同步置數(shù)端，并且置數(shù)為 2（0010），畫出狀態(tài)圖（按Q3Q2Q1Q0排列）及邏輯連線圖。
1.可以用__________擦除EPROM中所存的信息。
2.單穩(wěn)態(tài)可應(yīng)用于__________、延時、定時。
3.極大地影響二極管動態(tài)特性的原因主要是結(jié)電容和__________的存在。
4.在時鐘脈沖操作下具有__________功能的電路稱為D觸發(fā)器。
5.8421碼、2421碼等屬于__________代碼。
6.4位十六進制數(shù)轉(zhuǎn)化為二進制數(shù)有__________位。
7.或非門構(gòu)成的基本R-S觸發(fā)器兩個輸入同時作用時輸出Q =__________.
8.CMOS傳輸門實際上是一種可以傳送信號的__________.
9.時序電路可分為Mealy型和__________型。
10.基本邏輯運算有__________種。
二、單項選擇題（在每小題的四個備選答案中，選出一個正確答案，并將正確答案的序號填在題干的括號內(nèi)。每小題2分，共20分）
11. 不帶緩沖輸出的HCMOS電路系列是（ ）。
A. 54/74HCA B. 54/74HCT C. 54/74HCU D. 54/74HCS
12. AB +A 在四變量卡諾圖中有（ ）個小格是“1”。
A. 13 B. 12 C. 6 D. 5
13. 在CP（ ）時主從R-S觸發(fā)器的主觸發(fā)器接收輸入信號。
A. 0→1 B. ＝1 C. 1→0 D. ＝0
14. A 1 0 1 1 0 1=（ ）。
A. A B. C. 0 D. 1
15. （ ）觸發(fā)器可以用來構(gòu)成移位寄存器。 A. 基本R-S B. 同步R-S C. 同步D D. 邊沿D
16. 輸入至少（ ）位數(shù)字量的D/A轉(zhuǎn)換器分辨率可達千分之一。
A. 9 B. 10 C. 11 D. 12
17. 三極管作為開關(guān)時工作區(qū)域是（ ）。
A. 飽和區(qū)+放大區(qū) B. 擊穿區(qū)+截止區(qū)
C. 放大區(qū)+擊穿區(qū) D. 飽和區(qū)+截止區(qū)
18. 16位輸入的二進制編碼器，其輸出端有（ ）位。
A. 256 B. 128 C. 4 D. 3
19. RAM動態(tài)MOS存儲單元需要（ ）操作以免存儲的信息丟失。
A. 再生 B. 充電 C. 復(fù)位 D. 置數(shù)
20. 二輸入與非門當輸入變化為（ ）時，輸出可能有競爭冒險。
A. 01→10 B. 00→10 C. 10→11 D. 11→01 三、分析題（每小題6分，共42分）
21. 把（11001100）3轉(zhuǎn)化為8進制數(shù)和5421BCD碼。
22. 分析圖示電路，指出電路名稱，列出電壓關(guān)系表，畫出邏輯符號。
23. 根據(jù)給定的邏輯圖寫出輸出邏輯表達式Y(jié)（A，B，C）（不用化簡），列出真值表。
24. 觸發(fā)器電路如圖所示，對應(yīng)輸入波形畫出Q、 波形（設(shè)Q初態(tài)為0）。
25. 寫出圖示電路的驅(qū)動方程，并畫出狀態(tài)圖（按Q1Q2Q3排列，列出所有狀態(tài)）。
26. 用一個555定時器及電阻電容構(gòu)成一個多諧振蕩器，畫出電路圖。若給定電阻的阻值只有1kΩ，要求振蕩頻率為1kHz，則電容值和占空比各是多少？
27. A/D轉(zhuǎn)換器中取量化單位為Δ，把0～10V的模擬電壓信號轉(zhuǎn)換為3位二進制代碼，若量化誤差為Δ，要求列表表示模擬電平與二進制代碼的關(guān)系，并指出Δ的值。
模擬電平 二 進 制 代 碼
0 0 0
四、設(shè)計題（每小題6分，共18分）
28. 設(shè)計能實現(xiàn)全減器功能的組合電路。
要求：列出真值表，寫出標準表達式，畫出ROM存儲矩陣連線圖。
29. 用兩片4選1（一片74LS153）及適當?shù)拈T電路實現(xiàn)函數(shù)：
F（A，B，C，D）=C +A +B
要求：寫出標準與或表達式，畫出邏輯連線圖，其中4選1的兩個選擇控制端A1、A0接變量A、B，變量D從數(shù)據(jù)端輸入，變量C用于擴展。
30. 用74161及適當?shù)拈T電路構(gòu)成十二進制計數(shù)器，要求利用同步置數(shù)端，并且置數(shù)為 2（0010），畫出狀態(tài)圖（按Q3Q2Q1Q0排列）及邏輯連線圖。