7.1.1 基本結構
半導體三極管(簡稱晶體管)是在一塊半導體上生成兩個PN結組成，有NPN和PNP兩大類型，其結構和符號如圖8－7-1所示。
由圖可見，它們有三個區(qū)，分別稱為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。三個區(qū)各引出一個電極，分別稱為發(fā)射極E、基極B、集電極C。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間形成的PN結稱發(fā)射結，基區(qū)和集電區(qū)之間的PN結稱集電結。晶體管制造工藝的特點是：發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，基區(qū)很薄且摻雜濃度很低，集電區(qū)摻雜濃度低且結面積比發(fā)射結大。這些特點是晶體管具有電流放大能力的內部條件。
7.1.2 晶體管的放大原理
1．晶體管處于放大狀態(tài)的條件：為了使晶體管具有放大作用，除了結構上的條件外，還必須有合適的外部條件。這就是要求外加電壓使發(fā)射結正偏，集電結反偏。根據偏置要求，外加直流電源與管子的連接方式
半導體三極管(簡稱晶體管)是在一塊半導體上生成兩個PN結組成，有NPN和PNP兩大類型，其結構和符號如圖8－7-1所示。
由圖可見，它們有三個區(qū)，分別稱為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。三個區(qū)各引出一個電極，分別稱為發(fā)射極E、基極B、集電極C。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間形成的PN結稱發(fā)射結，基區(qū)和集電區(qū)之間的PN結稱集電結。晶體管制造工藝的特點是：發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，基區(qū)很薄且摻雜濃度很低，集電區(qū)摻雜濃度低且結面積比發(fā)射結大。這些特點是晶體管具有電流放大能力的內部條件。
7.1.2 晶體管的放大原理
1．晶體管處于放大狀態(tài)的條件：為了使晶體管具有放大作用，除了結構上的條件外，還必須有合適的外部條件。這就是要求外加電壓使發(fā)射結正偏，集電結反偏。根據偏置要求，外加直流電源與管子的連接方式