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考試科目名稱：半導體物理
科目代碼：846
一、物理基礎
1．晶體中原子的結合。
2．晶體結構與對稱性。
3．常見晶體結構。
4．晶格振動與聲子。
5．光學聲子與聲學聲子。
二、半導體材料的能帶結構
1．能帶的形成。
2．導帶、價帶、禁帶及禁帶寬度。
3．材料的導電性能與能帶結構的關系。
4．直接帶隙與間接帶隙。
5．導帶電子與價帶空穴，載流子。
6．電子與空穴的有效質量。
7．施主與受主，類氫原子近似。
8．P型、N型和本征半導體材料的特點。
9．雜質對半導體導電性能的影響。
三、半導體材料的電學性能
1．外場下半導體材料中載流子的運動形式。
2．半導體材料的遷移率與電導率。
3．半導體材料的電學性能隨溫度的變化。
4．半導體材料的電學性能隨雜質濃度的變化。
5．半導體材料的光電導與非平衡載流子。
6．半導體材料的霍爾效應。
7．半導體材料的熱電現象。
四、半導體器件
1.PN結的結構與電學性能，I-V曲線。
2.MOS器件的結構、工作原理及電學性能特點。
3.雙極型三極管的結構、工作原理及電學性能特點
4.發(fā)光二極管的工作原理。
5.太陽能電池的工作原理。
6.半導體溫度傳感器的工作原理。
五、半導體材料分析測試技術
1.半導體材料禁帶寬度的測量方法。
2.半導體材料中雜質電離能的測量。
3.半導體材料載流子濃度的測量方法。
4.半導體材料電阻率的測量。
5.半導體材料中載流子遷移率的測量方法。
6.半導體材料中少數載流子壽命的測量方法。
參考書目：《半導體物理》(第1版)，季振國編，浙江大學出版社，2005.9