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考試科目名稱：半導(dǎo)體物理
科目代碼：846
一、物理基礎(chǔ)
1．晶體中原子的結(jié)合。
2．晶體結(jié)構(gòu)與對(duì)稱性。
3．常見晶體結(jié)構(gòu)。
4．晶格振動(dòng)與聲子。
5．光學(xué)聲子與聲學(xué)聲子。
二、半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu)
1．能帶的形成。
2．導(dǎo)帶、價(jià)帶、禁帶及禁帶寬度。
3．材料的導(dǎo)電性能與能帶結(jié)構(gòu)的關(guān)系。
4．直接帶隙與間接帶隙。
5．導(dǎo)帶電子與價(jià)帶空穴，載流子。
6．電子與空穴的有效質(zhì)量。
7．施主與受主，類氫原子近似。
8．P型、N型和本征半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)。
9．雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的影響。
三、半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能
1．外場(chǎng)下半導(dǎo)體材料中載流子的運(yùn)動(dòng)形式。
2．半導(dǎo)體材料的遷移率與電導(dǎo)率。
3．半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能隨溫度的變化。
4．半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能隨雜質(zhì)濃度的變化。
5．半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)與非平衡載流子。
6．半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)。
7．半導(dǎo)體材料的熱電現(xiàn)象。
四、半導(dǎo)體器件
1.PN結(jié)的結(jié)構(gòu)與電學(xué)性能，I-V曲線。
2.MOS器件的結(jié)構(gòu)、工作原理及電學(xué)性能特點(diǎn)。
3.雙極型三極管的結(jié)構(gòu)、工作原理及電學(xué)性能特點(diǎn)
4.發(fā)光二極管的工作原理。
5.太陽能電池的工作原理。
6.半導(dǎo)體溫度傳感器的工作原理。
五、半導(dǎo)體材料分析測(cè)試技術(shù)
1.半導(dǎo)體材料禁帶寬度的測(cè)量方法。
2.半導(dǎo)體材料中雜質(zhì)電離能的測(cè)量。
3.半導(dǎo)體材料載流子濃度的測(cè)量方法。
4.半導(dǎo)體材料電阻率的測(cè)量。
5.半導(dǎo)體材料中載流子遷移率的測(cè)量方法。
6.半導(dǎo)體材料中少數(shù)載流子壽命的測(cè)量方法。
參考書目：《半導(dǎo)體物理》(第1版)，季振國編，浙江大學(xué)出版社，2005.9