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西安電子科技大學2018考研大綱：801半導體物理與器件物理基礎
“半導體物理與器件物理”(801)
一、 總體要求
“半導體物理與器件物理”(801)由半導體物理、半導體器件物理二部分組成，半導體物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)。
“半導體物理”要求學生熟練掌握半導體的相關基礎理論，了解半導體性質以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點掌握半導體中的電子狀態(tài)和帶、半導體中的雜質和缺陷能級、半導體中載流子的統(tǒng)計分布、半導體的導電性、半導體中的非平衡載流子等相關知識、基本概念及相關理論，掌握半導體中載流子濃度計算、電阻(導)率計算以及運用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時間或位置的變化及其分布規(guī)律等。
“器件物理”要求學生掌握MOSFET器件物理的基本理論和基本的分析方法，使學生具備基本的器件分析、求解、應用能力。要求掌握MOS基本結構和電容電壓特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的頻率特性;MOSFET器件中的非理想效應;MOSFET器件按比例縮小理論;閾值電壓的影響因素;MOSFET的擊穿特性;掌握器件特性的基本分析方法。
“半導體物理與器件物理”(801)研究生入學考試是所學知識的總結性考試，考試水平應達到或超過本科專業(yè)相應的課程要求水平。
二、 各部分復習要點
●“半導體物理”部分各章復習要點
(一)半導體中的電子狀態(tài)
1.復習內容
半導體晶體結構與化學鍵性質，半導體中電子狀態(tài)與能帶，電子的運動與有效質量，空穴，回旋共振，元素半導體和典型化合物半導體的能帶結構。
2.具體要求
半導體中的電子狀態(tài)和能帶
半導體中電子的運動和有效質量
本征半導體的導電機構
空穴的概念
回旋共振及其實驗結果
Si、Ge和典型化合物半導體的能帶結構
(二)半導體中雜志和缺陷能級
1.復習內容
元素半導體中的雜質能級，化合物半導體中的雜質能級、位錯和缺陷能級。
2.具體要求
Si和Ge晶體中的雜質能級
雜質的補償作用
深能級雜質
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體中的雜質能級
等電子雜質與等電子陷阱
半導體中的缺陷與位錯能級
(三)半導體中載流子的統(tǒng)計分布
1.復習內容
狀態(tài)密度，F(xiàn)ermi能級，載流子統(tǒng)計分布，本征和雜質半導體的載流子濃度，補償半導體的載流子濃度，簡并半導體
2.具體要求
狀態(tài)密度的定義與計算
費米能級和載流子的統(tǒng)計分布
本征半導體的載流子濃度
雜質半導體的載流子濃度
雜質補償半導體的載流子濃度
簡并半導體及其載流子濃度、簡并化條件、簡并半導體的特點與雜質帶導電
載流子濃度的分析計算方法及其影響載流子濃度的因素
(四)半導體的導電性
1.復習內容
載流子的漂移運動，遷移率，載流子的散射，遷移率與雜質濃度和溫度的關系，電阻率與雜質濃度和溫度的關系，強場效應與熱載流子
2.具體要求
載流子漂移運動
遷移率
載流子散射
半導體中的各種散射機制
遷移率與雜質濃度和溫度的關系
電阻率及其與雜質濃度和溫度的關系
強電場下的效應
高場疇區(qū)與Gunn效應;
(五)非平衡載流子
1.復習內容
非平衡載流子的產(chǎn)生與復合，非平衡載流子壽命，準費米能級，復合理論，陷阱效應，非平衡載流子載流子的擴散與漂移，愛因斯坦關系，連續(xù)性方程。
2.具體要求
非平衡載流子的注入與復合
準費米能級
非平衡載流子的壽命
復合理論
陷阱效應
載流子的擴散運動
載流子的漂移運動
Einstein關系
連續(xù)性方程的建立及其應用
●“器件物理”部分各章復習要點
(一)金屬-氧化物-半導體場效應結構物理基礎
1.復習內容
MOS結構的物理性質，能帶結構與空間電荷區(qū)，平帶電壓與閾值電壓，電容電壓特性
2.具體要求
MOS結構的物理性質
n型和p型襯底MOS電容器的能帶結構
耗盡層厚度的計算
功函數(shù)的基本概念以及金屬-半導體功函數(shù)差的計算方法
平帶電壓的定義與求解;閾值電壓的影響因素;
MOS電容的定義，理想的C-V特性;影響C-V特性的主要因素
(二)MOSFET基本工作原理
1.復習內容
MOSFET基本結構，MOSFET電流電壓關系，襯底偏置效應。MOSFET的頻率特性。閂鎖現(xiàn)象
2.具體要求
MOSFET電流電壓關系的定性分析，漏極電流與柵壓之間的關系;
襯偏效應的概念及影響
小信號等效電路的概念與分析方法
MOSFET器件頻率特性的影響因素
CMOS基本技術及閂鎖現(xiàn)象
(三)MOSFET器件的深入概念
1.復習內容
MOSFET中的非理想效應;MOSFET的按比例縮小理論;小尺寸器件的閾值電壓;MOSFET器件的擊穿特性
2.具體要求
理解實際器件與理想特性之間的偏差及其原因
器件按比例縮小的基本方法動態(tài)電路方程及其求解
短溝道效應與窄溝道效應對MOSFET器件閾值電壓的影響
MOSFET器件的各種擊穿模式，擊穿電壓的影響因素
三、 試卷結構與考試方式
1、題型結構：名詞解釋、簡答題、問答題、計算題、判斷題、繪圖題等。試卷滿分為150分。
2、考試方式：閉卷，考試必須按照規(guī)定攜帶不具備編程和存儲功能的函數(shù)計算器。
3、考試時間：180分鐘。
四、 參考書目
1、《半導體物理學》(第七版)，劉恩科、朱秉升、羅晉生等著，電子工業(yè)出版社 2011年3月。
2、《半導體物理與器件》(第4版)趙毅強等譯 電子工業(yè)出版社 2013年。
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